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该AT25128B / 256B提供131，072 / 262，144位的串行电可擦除的亲可编程只读组织成8位16384 / 32768字存储器（EEPROM）中每一个。所述装置被用于很多工业和商业应用中优化的其中，低功耗和低电压操作是必不可少的。该器件可在节省空间的8引脚SOIC ， 8引脚TSSOP ， 8球VFBGA和8引脚UDFN封装老少皆宜。另外，全家人都在1.8V可（ 1.8V至5.5V ） 。
该AT25128B / 256B通过片选引脚（ CS ）启用，并通过访问3线接口，包括串行数据输入（ SI ）中，串行数据输出（ SO ）和串行时钟（ SCK ） 。所有的编程周期是完全自定时，也没有另行写入速度前擦除周期是必需的。
特点
串行外设接口（SPI ）兼容
支持SPI模式0 （0，0）和3 （1，1）的
数据表描述模式0操作
低电压和标准电压工作
- 1.8 （ VCC = 1.8V至5.5V ）
20 MHz的时钟速率（ 5V ）
64字节页模式和字节写操作
块写保护
- 保护1/4，1/2 ，或整个阵列
写保护（ WP ）引脚和写禁止指令的硬件和软件
数据保护
自定时写周期（ 5 ms以下）
高可靠性
- 耐力： 100万次擦写循环
- 数据保存： 》100年
绿色（无铅/无卤化物/ RoHS标准）的包装选项
模具销售：晶圆形式，松饼包，和凸点芯片
串行外设接口（SPI ）兼容
支持SPI模式0 （0，0）和3 （1，1）的
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- 数据保存： 》100年
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| 存储器类型 | 非易失 |
|---|---|
| 存储器格式 | EEPROM |
| 技术 | EEPROM |
| 存储容量 | 128Kb （16K x 8） |
| 时钟频率 | 20MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | 5ms |
| 存储器接口 | SPI |
| 电压 - 电源 | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
AT25128B-SSHL-T 封装图
AT25128B-SSHL-T 封装图
AT25128B-SSHL-T 封装图
AT25128B-SSHL-T 封装图
AT25128B-SSHL-T 引脚图
AT25128B-SSHL-T电路图
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当导体处于静电平衡时，电势具有以下特点。 电势是常数：在静电平衡条件下，导体内部的电势是处处相等的。这是由于电势是标量，且导体内部不存在电场，因此导体内任意两点之间的电势差为零。若导体存在表面电荷分布，电荷会在导体表面分布，在没有外力作用下，电荷会在导体表面达到静电平衡，使导体内不存在电场，因而导体内部的电势处处相等。 导体表面的电势相等：静电平衡时，导体表面的电势处处相等，无论导体的形状和大小如何。
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英伟达H200性能卓越，集成了高性能CPU和GPU，通过高速NVLink连接，消除了传统计算瓶颈。其配备了高达141GB的HBM3e高带宽内存，大幅提升了数据处理能力。H200能轻松应对TB级别的模型运算，如GPT-4等，相比前代产品性能提升显著。
近日，德国弗劳恩霍夫研究所 (Fraunhofer) 的科学家们利用超薄金刚石膜成功降低了电子元件的热负荷，并有望将电动汽车的充电速度提升五倍。
| ADM1064 | ADA4895-1 | ADA4891-1 | AD7400A |
| ADuM231E | AD5689RBRUZ | ADN2819 | at45db161e-shd |
| ADP3367 | AD1866 | AD8609 | ADV3203 |
| ADG417 | AD7658 | ADUCM360 | ADM8613 |
| ADN2848 | ADP1048 | AD5259 | ADR3512 |
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