AP3417CKTR-G1

产品信息

电路图、引脚图和封装图

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  AP3417CKTR-G1 封装图

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  AP3417CKTR-G1 引脚图

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  AP3417CKTR-G1电路图

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  2021-11-25
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  2021-10-29
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  2020-10-10
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  2021-08-13
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  2021-11-26
• 基于高压同步整流架构的AP8505/AP8507

  AP8505/AP8507基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。

  2024-01-09
• G1调优时可调整的参数

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  2023-09-25
• NP3417BEMR 20V p通道增强模式MOSFET

  描述 NP3417BEMR采用了先进的沟槽技术 提供优良的RDS(ON)，低栅极充电和操作 栅极电压低至1.8V。这个装置很合适 用于负载开关或PWM应用。 一般特征 VDS = -20v, id = -3a RDS(上)(Typ) = 51.8Ω@VGS = -4.5 v RDS(上)(Typ) = 72.7Ω@VGS = -2.5 v 高功率...

  2022-07-07

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