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    AO6604

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    互补增强型场效应晶体管。

     

    产品信息

      概述

      该AO6604采用先进的沟槽技术提供了优秀的研发DS ( ON)和低栅极电荷。该互补的MOSFET组成一个高速动力逆变器,适合于多种应用。AO6604L (绿色产品)被提供在一个无铅封装。

      特点

      N沟道                        P沟道

      VDS(V) = 20V                -20V

      ID= 3.4A                      -2.5A

      RDS ( ON)

      《的60mΩ                   《 110mΩ (VGS= 4.5V)

      《 75mΩ                    《 140mΩ (VGS= 2.5V)

      《 100mΩ的                 《在200mΩ (VGS= 1.8V)


    电路图、引脚图和封装图

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