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制造商：ADI/AD
优势和特点
紧凑的TSOT-5封装
低温度系数: B-级: 9 ppm/°CA-级: 25 ppm/°C
初始精度B级: ±4 mV （最大值，ADR391）A 级: ±6 mV （最大值）
超低输出噪声：5 µV峰峰值（0.1 Hz至10 Hz）
低压差性能： 300 mV
低电源电流： 3 µA （最大值，关断模式）140 µA （最大值，工作模式）
无需外部电容
输出电流能力：5mA
提供汽车级产品
宽温度范围： -40°C至 +125°C
产品详情
ADR390/ADR391/ADR392/ADR395分别是2.048 V、2.5 V、4.096 V和5 V精密带隙基准电压源，具有低功耗、高精度和小尺寸特性。该系列基准电压源利用ADI的温度漂移曲率校正专利技术，可在TSOT封装中实现9 ppm/°C的低温度漂移特性。ADR39x系列为微功耗、低压差基准电压源，可利用仅比输出电压高出300 mV的电源提供稳定的输出电压。先进的设计无需外部电容，可进一步节省电路板空间、降低成本。ADR39x系列精密基准电压源具有低功耗、小尺寸和易于使用的特点，非常适合电池供电应用。
应用
电池供电仪器仪表
便携式医疗仪器
数据采集系统
工业过程控制
汽车
ADR392 引脚图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ADR392WBUJZ-R7 | - | - | 立即购买 |
| ADR392BUJZ-REEL7 | - | - | 立即购买 |
| ADR392AUJZ-REEL7 | - | - | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小（KB） | 下载 |
|---|---|---|---|
| AN-713: The Effect of Long-Term Drift on Voltage References (Rev. 0) | 237 | 点击下载 |
杭州东沃电子（DOWOSEMI）专业供应的ULQ2003ADR芯片，是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列，由7个NPN达林顿对组成，具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
杭州东沃电子（DOWOSEMI）专业供应的ULQ2003ADR芯片，是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列，由7个NPN达林顿对组成，具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
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杭州东沃电子（DOWOSEMI）专业供应的ULQ2003ADR芯片，是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列，由7个NPN达林顿对组成，具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
据了解，台积电目前最先进制程的5nm工艺在2020年第一季度进行大规模投产，为华为、苹果等公司提供代工服务，他们从三季度开始披露5nm工艺的营收。
ADRF5720是一款6位硅数字衰减器，以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减。ADRF5024是一款通用型单刀双掷(SPDT)硅开关。
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450均为低成本、低功耗、高精度基准电压源，具有± 0.1%的初始精度、低工作电流和低输出噪声特性，采用SOT23小型封装。
杭州东沃电子（DOWOSEMI）专业供应的ULQ2003ADR芯片，是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列，由7个NPN达林顿对组成，具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
| AD5725 | AD7398 | AT28C256-15PU | ADC121S625 |
| ADM206 | ADG1334 | ADCMP354 | ADG5212 |
| AT91SAM9G45C-CU | ADP3635 | AD9640 | AT25SF081-SSHD-T |
| AD9778 | ADN8810 | AD9634 | ADM13305 |
| AT24MAC602-SSHM-T | ADSP-21573 | ADS7886 | AD7666 |
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