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制造商：ADI/AD
优势和特点
紧凑的TSOT封装
低温度系数B 级: 9 ppm/°C A 级: 25 ppm/°C
初始精度B 级: ±3 mV (最大值）A 级: ±6 mV(最大值）
超低输出噪声：6.8 μV峰峰值(0.1 Hz 至 10 Hz)
低压差：300 mV
低电源电流：190 μA（最大值）
无需外部电容
输出电流：+5 mA/−1 mA
宽温度范围：−40°C至+125°C
产品详情
ADR360/ADR361/ADR363/ADR364/ADR365/ADR366分别是2.048 V、2.5 V、3.0 V、4.096 V、5.0 V和3.3 V精密带隙基准电压源，具有低功耗、高精度和小尺寸特性。该系列基准电压源利用ADI的温度漂移曲率校正专利技术，可在TSOT封装中实现9 ppm/°C的低温度漂移特性。
ADR36x系列为微功耗、低压差基准电压源，可利用仅比输出电压高出300 mV的电源提供稳定的输出电压。先进的设计无需外部电容，可进一步节省电路板空间、降低成本。ADR36x系列精密基准电压源具有低功耗、小尺寸和易于使用的特点，非常适合电池供电应用。
应用
电池供电仪表
便携式医疗仪器
数据采集系统
工业过程控制
汽车电子
数据手册, Rev. C, 7/07
ADR361 封装图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ADR361BUJZ-REEL7 | - | - | 立即购买 |
| ADR361AUJZ-REEL7 | - | - | 立即购买 |
杭州东沃电子（DOWOSEMI）专业供应的ULQ2003ADR芯片，是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列，由7个NPN达林顿对组成，具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
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据了解，台积电目前最先进制程的5nm工艺在2020年第一季度进行大规模投产，为华为、苹果等公司提供代工服务，他们从三季度开始披露5nm工艺的营收。
杭州东沃电子（DOWOSEMI）专业供应的ULQ2003ADR芯片，是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列，由7个NPN达林顿对组成，具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
同学们在学习ARM指令时，多数都会对adr和ldr这两个命令产生疑惑，那他们究竟有什么区别呢？
杭州东沃电子（DOWOSEMI）专业供应的ULQ2003ADR芯片，是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列，由7个NPN达林顿对组成，具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
| ATMEGA1281 | ADM6328 | AD8040ARUZ | AD7675 |
| ADRF6520 | ADA4940-1 | ADUM4400 | ADS7811 |
| AD7891 | AD5531 | ADSP-BF525C | ADP5070 |
| ADG1221 | ADL5604 | AT93C56B-SSHM-T | AD5243 |
| AD5317R | AD8104 | ADF9010 | APHCM2012QBC/D-F01 |
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