制造商:ADI/AD
优势和特点
单通道20位电压输出DAC,±2 LSB INL
输出噪声频谱密度:8 nV/√Hz
线性误差长期稳定性:0.1 LSB
增益误差温度系数:±0.018 ppm/°C
输出电压建立时间:2.5 μs
中间电平毛刺脉冲:3.5 nV-s
集成式精密基准电压缓冲器
工作温度范围:−40°C至+125°C
4mm x 5mm LFCSP封装
宽电源电压范围:最高达±16.5 V
35 MHz施密特触发数字接口
1.8 V兼容数字接口
产品详情
AD579011是一款单通道、20位、无缓冲电压输出DAC,采用最高33 V的双极性电源供电。正基准电压输入范围为5 V至VDD – 2.5V,负基准电压输入范围为VSS + 2.5 V至0V。相对精度最大值为±2 LSB,保证工作单调性,微分非线性(DNL)最大值为-1 LSB至+3 LSB。这款器件采用多功能三线式串行接口,能够以最高50 MHz的时钟速率工作,并与标准SPI®、QSPI™、MICROWIRE™、DSP接口兼容。片内提供基准电压缓冲。它内置上电复位电路,确保DAC上电后输出至0 V并保持已知输出阻抗状态,直到对该器件执行一次有效的写操作为止。禁用特性可将输出置于已定义的负载状态。
1受美国专利第7,884,747号保护。
应用-医疗仪器-测试与测量-工业控制 -科学和航空航天仪器-数据采集系统 -数字增益和失调电压调整-电源控制
产品特色-20-bit分辨率-宽电源电压范围:最高达±16.5 V-工作温度范围:-40℃至+125℃-低噪声:8 nV/√Hz -低增益误差温度系数:0.018 ppm/°C
标题 | 类型 | 大小(KB) | 下载 |
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UG-342: Evaluation Board for a 20-Bit Serial Input, Voltage Output DAC with Integrated Precision Reference Buffer Amplifiers | 922 | 点击下载 |
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GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SIC、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力。
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第三代半导体具有较高的热导率、电子饱和率、击穿电场、带隙宽度、抗辐射能力等,适用于制造高温、高频、高功率、抗辐射器件,可用于卫星、汽车、雷达、工业、电源管理、射频通信等诸多领域。在当前的第三代半导体材料中,氮化镓(GaN)和(SiC)相对成熟,具有最有前景的发展前景。
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