2N7008 is an enhancement-mode (normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors, and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain
2N7008 封装图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2N7008-G | Maxim | IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8UMAX | 立即购买 |
本人基于 rt-thread studio 对 N32L40XCL 进行I2C测试。具体表现为使用 N32L40XCL 的 I2C1 (PA4:I2C1_SCL;PA5:I2C1_SDA) 接口驱动四线 I2C OLED 0.96 寸屏幕。解决过程和遇到的问题及其解决方法如下。
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比亚迪取得电池外壳专利 日前比亚迪取得电池外壳专利,实现不需焊接托盘、安装工艺也简单,这可以降低生产成本。 专利摘要显示,本实用新型涉及一种电池包及车辆,电池包包括电池包壳体、电芯组、第一安装座、第二安装座及安装架,所述电芯组设置在所述电池包壳体内; 所述电池包壳体具有相对的第一侧板及第二侧板,所述第一安装座固定在所述第一侧板的外表面上;所述第二安装座固定在所述第二侧板的外表面上; 所述安装架包括与所述第
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1月19日,台湾PCB上市企业欣兴(3037.TW)发布公告称,泰国子公司Unimicron (Thailand) Co., Ltd.以自地委建方式兴建厂房。
2N7002KW | 2N6520 | 2N6288 | 2N5883 |
2N5302 | 2n3904 | 2N6042 | 24LC22A-I/SN |
2SB1201 | 2SC5646A | 24AA014 | 24C02C |
2SA2039 | 2SA2125 | 2SA1418 | 2N4401 |
24VL014H | 25LC160C | 2N6488 | 2N7002E |