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分立半导体产品晶体管FET,MOSFETIXTP1N120P
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晶体管 IXYS Corporation IXTP1N120P

制造商型号:IXTP1N120P

制造商:IXYS Corporation
封装/规格:TO-220-3
商品编号:DS0087722 供应商编号:IXTP1N120P
商品描述:
MOSFET N-CH 1200V 1A TO-220

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产品分类

分立半导体产品

晶体管

系列

PolarVHV™

包装

管件 

零件状态

在售

FET类型

N沟道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss)

1200V(1.2kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1A(Tc)

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V@50µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

17.6nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)

550pF@25V

FET功能

-

功率耗散(最大值)

63W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

20欧姆@500mA,10V

工作温度

-55°C~150°C(TJ)

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220AB

封装/外壳

TO-220-3

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数据列表IXT(A,P)1N120P
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  • 韩***IXTP1N120P626.09092018-05-22 17:05