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晶体管MOSFETsRK7002BMT116
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MOS场效应管(单) ROHM RK7002BMT116

制造商型号: RK7002BMT116
制造商: ROHM
封装/规格: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商编号: RK7002BMT116
商品编号: DS0075141
商品描述:
N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=±250mA P=350mW

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产品分类

MOSFETs

晶体管

FET配置(电路类型)

N沟道

漏源击穿电压V(BR)dss

60V

漏极电流(Id, 连续)

250mA(Ta)

导通电阻 Rds(on)

2.4欧姆

阈值电压Vgs(th)

2.3V@1mA

最大耗散功率

350mW

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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数据手册RK7002BMT116数据手册
  • 用户名称购买型号购买数量购买价格下单时间
  • 郑***RK7002BMT11630002020-11-10 18:04
  • 林***RK7002BMT116402020-09-04 17:15
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RK7002BMT116ROHM设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 digikey、future、element14、verical、 等渠道进行代购。RK7002BMT116价格参考¥0.07087。ROHMRK7002BMT116封装/规格:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=±250mA P=350mW。你可以下载RK7002BMT116中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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