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晶体管MOSFETsRK7002BMT116

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MOS场效应管(单) ROHM RK7002BMT116

制造商型号： RK7002BMT116	制造商： ROHM
封装/规格： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	供应商编号： RK7002BMT116
商品编号： DS0075141
商品描述： N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=±250mA P=350mW

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10000+		￥0.07087

规格参数
PDF数据手册
技术文档
成交记录

产品分类	MOSFETs 晶体管
FET配置（电路类型）	N沟道
漏源击穿电压V(BR)dss	60V
漏极电流（Id, 连续）	250mA（Ta）
导通电阻 Rds（on）	2.4欧姆
阈值电压Vgs(th)	2.3V@1mA
最大耗散功率	350mW
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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MOS场效应管(单) ROHM RK7002BMT116 数据手册下载

技术资料文档
数据手册	RK7002BMT116数据手册

用户名称购买型号购买数量购买价格下单时间
郑***RK7002BMT11630002020-11-10 18:04
林***RK7002BMT116402020-09-04 17:15
林***RK7002BMT1163202020-08-13 10:06
林***RK7002BMT1168302020-08-12 18:28
杜***RK7002BMT11618002020-06-04 15:17
毛***RK7002BMT11612020-03-31 21:34
***RK7002BMT1162002019-12-31 15:23
***RK7002BMT1161002019-12-27 18:35
林***RK7002BMT116402019-12-17 08:45
***RK7002BMT11630002019-12-16 15:24
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RK7002BMT116由ROHM设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 digikey、future、element14、verical、等渠道进行代购。RK7002BMT116价格参考￥0.07087。ROHMRK7002BMT116封装/规格：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=±250mA P=350mW。你可以下载RK7002BMT116中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版：RK7002BMT116