图像仅供参考，请参阅产品规格书

MOSFETs NCE NCE30P12S

数量国内含税
5+ ￥1.0705
20+ ￥0.973
100+ ￥0.8755
500+ ￥0.778
1000+ ￥0.7325
2000+ ￥0.7

数量	国内含税
5+	￥1.0705
20+	￥0.973
100+	￥0.8755
500+	￥0.778
1000+	￥0.7325
2000+	￥0.7

华秋自营合作库存

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）：立即发货

库存：
2476 （5起订）

华秋库存的价格参考：
数量	国内含税
5+	￥1.0705
20+	￥0.973
100+	￥0.8755
500+	￥0.778
1000+	￥0.7325
2000+	￥0.7

数量：

X1.0705（单价）「卷装(TR)/4000」

总价：

￥ 5.3525

加入购物车立即购买

品牌：NCE(无锡新洁能)
型号：NCE30P12S
商品编号：DS0143885
封装规格：SO8_150MIL
商品描述： P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
技术文档
数据手册

商品详情
技术文档
相关问答

热销型号1 / 3

图片	型号/品牌	描述	技术文档	库存	参考价格	对比	操作
	型号：NCE30P12S 品牌：NCE(无锡新洁能)	MOSFETs MOSFETs NCE NCE30P12S MOSFETs NCE NCE30P12S	数据手册	2476（1起订）	¥1.07050 ▼ 数量国内含税 5 +￥1.07050 20 +￥0.97300 100 +￥0.87550 500 +￥0.77800 1000 +￥0.73250 2000 +￥0.70000	当前型号	加入购物车

型号推荐
最新产品推荐
品牌分类

NCE30P12S 由 NCE 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 NCE30P12S 价格参考￥ 1.0705 。 NCE NCE30P12S 封装/规格： SO8_150MIL, P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W。你可以下载 NCE30P12S 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： NCE30P12S

元器件商品 0

MOSFETs NCE NCE30P12S

数量国内含税
5+ ￥1.0705
20+ ￥0.973
100+ ￥0.8755
500+ ￥0.778
1000+ ￥0.7325
2000+ ￥0.7

华秋自营合作库存

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）：立即发货

库存：
2476 （5起订）

品牌：NCE(无锡新洁能)
型号：NCE30P12S
商品编号：DS0143885
封装规格：SO8_150MIL
商品描述： P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
技术文档
数据手册

近似替代型号（推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单）

元器件商品 0

MOSFETs NCE NCE30P12S

数量国内含税5+￥1.070520+￥0.973100+￥0.8755500+￥0.7781000+￥0.73252000+￥0.7

华秋自营合作库存

交货地： 1国内（含增税） 交期（工作日） ：立即发货

库存： 2476 （5起订）

品 牌：NCE(无锡新洁能)型 号：NCE30P12S商品编号：DS0143885封装规格：SO8_150MIL商品描述： P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W 技术文档数据手册

近似替代型号（ 推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单 ）

数量国内含税
5+ ￥1.0705
20+ ￥0.973
100+ ￥0.8755
500+ ￥0.778
1000+ ￥0.7325
2000+ ￥0.7

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）：立即发货

库存：
2476 （5起订）

品牌：NCE(无锡新洁能)
型号：NCE30P12S
商品编号：DS0143885
封装规格：SO8_150MIL
商品描述： P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
技术文档
数据手册

近似替代型号（推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单）