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      主页所有制造商NCE
      知名品牌
      NCE(无锡新洁能)
      NCE(无锡新洁能)
      品牌网址：www.ncepower.com/

      无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT，相关核心技术已获得多项专利授权，四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。

      公司产品凭借低损耗、高可靠性品质，已成功进入汽车电子、电机驱动、家用电器、消费电子、LED照明、电动车、安防、网络通信等市场领域，获得国内外知名公司的认证。公司利用自身技术优势，与国际知名的8” 晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作，具备完善的质量管理体系，确保产品的持续优质和稳定供货。

      公司是高新技术企业、中国半导体功率器件十强企业（中国半导体协会2016年），拥有无锡市功率器件工程研究中心、江苏省研究生工作站，注重先进半导体功率器件的研发与产业化，多项研发成果在IEEE、ISPSD等国际期刊/国际会议上发表，并被SCI、EI索引。公司将持续加大研发投入，提升产品竞争力，目标成为具有国际竞争力的半导体功率器件产品与服务供应商。

      公司总部位于江苏无锡，设有深圳分公司。公司宗旨是诚信对待、忠诚服务所有客户和合作者，致力于建立合作共赢的长期协作关系。

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      自营华秋库存

      数据手册

      型号：NCEP60T15GMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：DFN8_5X6MM

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：200W
      编号：DS0183232
      1+￥3.1896
      10+￥2.8926
      30+￥2.6946
      100+￥2.3976
      500+￥2.259
      1000+￥2.16

      现货：329（当天发货）

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      「5000 / 卷装(TR)」

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      数据手册

      型号：NCE60P50KMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO252

      描述：
      P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：95W
      编号：DS0143307
      5+￥2.36851
      20+￥2.16585
      100+￥1.96318
      500+￥1.76051
      1000+￥1.66594
      2000+￥1.59838

      现货：4349（当天发货）

      +-

      「2500 / 卷装(TR)」

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      数据手册

      型号：NCEP039N10DMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO-263(D²Pak)

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：135A 功率(Pd)：220W
      编号：DS0143217
      1+￥3.3894
      10+￥3.2549
      100+￥2.9321
      500+￥2.7707

      现货：8024（当天发货）

      +-

      「800 / 卷装(TR)」

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      数据手册

      型号：NCE01P18KMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO252-2

      描述：
      MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=18A RDS(ON)=120mΩ@4.5V TO252
      编号：ZHLM0226697
      1+￥1.2382
      10+￥1.12045
      30+￥1.04195
      100+￥0.9242
      500+￥0.86925
      1000+￥0.83

      现货：154（当天发货）

      +-

      「2500 / 卷装(TR)」

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      数据手册

      型号：NCEP0178AKMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO252

      描述：
      N沟道 Vdss=100V Id=78A RDS(On)=9.5mΩ@4.5V
      编号：DS0143889
      1+￥2.401
      30+￥2.311
      100+￥2.131
      500+￥1.951
      1000+￥1.861

      现货：2798（当天发货）

      +-

      「50 / 管装(TUBE)」

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      数据手册

      型号：NCEP1520KMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO252

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：68W
      编号：DS0145291
      1+￥1.26001
      10+￥1.21001
      100+￥1.09001
      500+￥1.03001

      现货：3463（当天发货）

      +-

      「2500 / 卷装(TR)」

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      数据手册

      型号：NCE4080KMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO252

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：80W
      编号：DS0143303
      1+￥1.2055
      10+￥1.1265
      50+￥1.008
      150+￥0.929
      300+￥0.8737
      500+￥0.85

      现货：511（当天发货）

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      「2500 / 卷装(TR)」

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      数据手册

      型号：NCE40P13SMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：SOP8_150MIL

      描述：
      MOS管 P-channel Id=13A VDS=40V SOP8_150MIL
      编号：DS0189430
      1+￥1.29759
      10+￥1.17713
      30+￥1.09683
      100+￥0.97637
      500+￥0.92015
      1000+￥0.88

      现货：2356（当天发货）

      +-

      「4000 / 卷装(TR)」

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      型号：NCE6005ARMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：SOT-223-3L

      描述：
      N沟道增强型功率MOSFET SOT223-3L
      编号：DS0142030
      1+￥0.6425
      30+￥0.61875
      100+￥0.57125
      500+￥0.52375
      1000+￥0.5

      现货：1976（当天发货）

      +-

      「2500 / 卷装(TR)」

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      数据手册

      型号：NCE30H10KMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO252

      描述：
      MOSFETs N沟道 30V 100A 5.5mΩ@10V TO-252
      编号：DS0143933
      1+￥0.8124
      30+￥0.7834
      100+￥0.7544
      500+￥0.6964
      1000+￥0.6674
      2000+￥0.65

      现货：151（当天发货）

      +-

      「2500 / 卷装(TR)」

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      型号：NCE2301MOSFETs

      品牌：NCE

      封装：SOT-23

      描述：
      场效应管MOSFET P沟道 -20V -3A 64mΩ
      编号：DS0143184
      20+￥0.14745
      200+￥0.13853
      500+￥0.12962
      1000+￥0.1207
      3000+￥0.11624
      6000+￥0.11

      现货：3503（当天发货）

      +-

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      型号：NCE3080KMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO252

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：235W
      编号：DS0143216
      1+￥0.57232
      30+￥0.55048
      100+￥0.52864
      500+￥0.48495
      1000+￥0.46311
      2000+￥0.45

      现货：211（当天发货）

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      「2500 / 卷装(TR)」

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      型号：NCE4060KMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO252

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：65W
      编号：DS0142026
      1+￥0.774
      30+￥0.745
      100+￥0.687
      500+￥0.629
      1000+￥0.6

      现货：3290（当天发货）

      +-

      「2500 / 卷装(TR)」

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      数据手册

      型号：NCE4012SMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：SO8_150MIL

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
      编号：DS0143302
      1+￥0.8382
      10+￥0.8052
      100+￥0.7062
      500+￥0.6864

      现货：2802（当天发货）

      +-

      「4000 / 卷装(TR)」

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      数据手册

      型号：NCE2060KMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO252

      描述：
      NCE N沟道增强型功率MOSFET
      编号：DS0142011
      1+￥0.62556
      10+￥0.57744
      30+￥0.56781
      100+￥0.53894

      现货：10（当天发货）

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      「2500 / 卷装(TR)」

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      数据手册

      型号：NCE30H15KMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO252

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：130W
      编号：DS0142020
      1+￥2.11066
      10+￥1.90855
      30+￥1.77381
      100+￥1.57169
      500+￥1.47737
      1000+￥1.41

      现货：4140（当天发货）

      +-

      「2500 / 卷装(TR)」

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      数据手册

      型号：NCE0224KMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO252

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W
      编号：DS0142008
      1+￥2.53347
      30+￥2.43678
      100+￥2.34009
      500+￥2.14671
      1000+￥2.05002
      2000+￥1.99201

      现货：1835（当天发货）

      +-

      「2500 / 卷装(TR)」

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      数据手册

      型号：NCE30D2519KMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO252-4L

      描述：
      1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W
      编号：DS0183240
      1+￥1.02235
      10+￥0.9821
      100+￥0.86135
      500+￥0.8372

      现货：1890（当天发货）

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      「2500 / 卷装(TR)」

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      数据手册

      型号：NCE6005ASMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：SOP8_150MIL

      描述：
      个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：2W
      编号：DS0143720
      5+￥0.7979
      20+￥0.7274
      100+￥0.6569
      500+￥0.5864
      1000+￥0.5535
      2000+￥0.53

      现货：4247（当天发货）

      +-

      「4000 / 卷装(TR)」

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      数据手册

      型号：NCE3018ASMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：SOP8_150MIL

      描述：
      MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A SOP8_150MIL
      编号：DS0143886
      1+￥0.7874
      10+￥0.7564
      100+￥0.6634
      500+￥0.6448

      现货：3866（当天发货）

      +-

      「4000 / 卷装(TR)」

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      数据手册

      型号：NCE3010SMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：SO8_150MIL

      描述：
      MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=10A SO8_150MIL
      编号：DS0143283
      1+￥0.62301
      30+￥0.60076
      100+￥0.57851
      500+￥0.53401
      1000+￥0.51176
      2000+￥0.49841

      现货：4590（当天发货）

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      「4000 / 卷装(TR)」

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      数据手册

      型号：NCE9926MOSFETs

      品牌：NCE

      封装：SOP8_150MIL

      描述：
      2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.25W
      编号：DS0143887
      1+￥0.40909
      30+￥0.39448
      100+￥0.37987
      500+￥0.35065
      1000+￥0.33604
      2000+￥0.32727

      现货：985（当天发货）

      +-

      「4000 / 卷装(TR)」

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      数据手册

      型号：NCE3050KMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO252

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W
      编号：DS0142015
      1+￥0.65424
      10+￥0.59244
      30+￥0.55124
      100+￥0.48944
      500+￥0.4606
      1000+￥0.44

      现货：339（当天发货）

      +-

      「2500 / 卷装(TR)」

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      数据手册

      型号：NCE20P70GMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：DFN8_5X6MM

      描述：
      P沟道增强型功率MOSFET
      编号：DS0143282
      1+￥3.108
      10+￥2.898
      50+￥2.583
      150+￥2.373
      300+￥2.226
      500+￥2.163

      现货：3165（当天发货）

      +-

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      数据手册

      型号：NCE2030MOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO-220-3

      描述：
      MOS管 N-channel Id=30A VDS=20V TO220-3
      编号：DS0143941
      1+￥0.936
      10+￥0.864
      30+￥0.8496
      100+￥0.8064

      现货：85（当天发货）

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      数据手册

      型号：NCE0157A2MOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO-220-3

      描述：
      N沟道增强型功率MOSFET
      编号：DS0142005
      1+￥2.5665
      30+￥2.478
      100+￥2.301
      500+￥2.124
      1000+￥2.0355

      现货：30（当天发货）

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      型号：NCE20P45QMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：DFN8_3.3X3.3MM

      描述：
      P沟道 漏源电压(Vdss)：19V 连续漏极电流(Id)：45A 功率(Pd)：80W
      编号：DS0143284
      1+￥1.012

      现货：2（当天发货）

      +-

      「5000 / 卷装(TR)」

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      数据手册

      型号：NCEP01T13AMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO220

      描述：
      N沟道超级沟道功率MOSFET VDS=100V ID=135A TO220-3L
      编号：ZHLM0317111
      1+￥2.9325

      现货：26（当天发货）

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      型号：NCE4614MOSFETs

      品牌：NCE

      封装：SOP8_150MIL

      描述：
      MOS管 N+P channel Id=8A VDS=40V SOP8_150MIL
      编号：DS0142028
      1+￥0.7476
      30+￥0.7191
      100+￥0.6906
      500+￥0.6336
      1000+￥0.6051
      2000+￥0.588

      现货：1672（当天发货）

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      型号：NCEP85T25TMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO247

      描述：
      MOS管 N-Channel VDS=85V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.8mΩ@10V TO247
      编号：ZHLM0033533
      1+￥11.455
      30+￥11.06
      100+￥10.27
      500+￥9.48
      1000+￥9.085

      现货：28（当天发货）

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      型号：NCEP026N10MOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO-220-3

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：300W
      编号：DS0189427
      1+￥8.265
      30+￥7.98
      100+￥7.41
      500+￥6.84
      1000+￥6.555

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      型号：NCEP40T13GUMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：DFN8_5X6MM

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：80W
      编号：DS0142055
      1+￥2.12806
      10+￥1.92669
      30+￥1.79245
      100+￥1.59109
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      型号：NCE40H12MOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO-220-3

      描述：
      N沟道增强型功率MOSFET
      编号：DS0143219
      1+￥1.66399
      10+￥1.536
      30+￥1.5104
      100+￥1.4336

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      型号：NCE3007SMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：SO8_150MIL

      描述：
      P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W
      编号：DS0183235
      1+￥0.43496
      30+￥0.41836
      100+￥0.40176
      500+￥0.36856
      1000+￥0.35196
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      型号：NCE3400MOSFETs

      品牌：NCE

      封装：SOT-23

      描述：
      N沟道增强型功率MOSFET
      编号：DS0143437
      5+￥0.221
      20+￥0.20148
      100+￥0.18196
      500+￥0.16244
      1000+￥0.15333
      2000+￥0.14682

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      型号：NCE40H21MOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO-220-3

      描述：
      N沟道增强型功率MOSFET
      编号：DS0143305
      1+￥2.886
      30+￥2.78
      100+￥2.568
      500+￥2.356
      1000+￥2.25

      现货：2026（当天发货）

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      型号：NCE40P40KMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO252

      描述：
      P-channel Id=40A VDS=40V TO252-2
      编号：DS0143308
      1+￥1.1744
      10+￥1.0664
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      100+￥0.8864
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      1000+￥0.8

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      型号：NCE60P04YMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：SOT-23

      描述：
      MOS管 P-channel Id=4A VDS=60V SOT23-3
      编号：DS0143939
      10+￥0.48
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      200+￥0.414
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      型号：NCE0106RMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：SOT223-3

      描述：
      MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=140mΩ@10V SOT223
      编号：ZHLM0201539
      5+￥0.86401
      50+￥0.78301
      500+￥0.67501
      1000+￥0.594
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      型号：NCE60P04YMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：SOT-23

      描述：
      MOS管 P-channel Id=4A VDS=60V SOT23-3
      编号：DS0143939
      10+￥0.48001
      50+￥0.44401
      200+￥0.41401
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      型号：NCEP85T16MOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO-220-3

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：220W TO220-3L
      编号：DS0189423
      1+￥4.0595

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      型号：NCE65T1K2FMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO220F-3

      描述：
      MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3
      编号：DS0142045
      1+￥1.595
      30+￥1.54
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      型号：NCE6012ASMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：SOP8_150MIL

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
      编号：DS0145292
      1+￥1.16161
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      型号：NCE0117MOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO-220-3

      描述：
      N沟道增强型功率MOSFET
      编号：DS0143937
      1+￥1.209
      10+￥1.116
      30+￥1.0974
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      型号：NCE6080AMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO-220-3

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
      编号：DS0142034
      1+￥1.15001

      现货：5（当天发货）

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      型号：NCE65T540FMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO220F

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W
      编号：DS0142046
      1+￥2.378
      30+￥2.296
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      型号：NCE3080IAMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO-251-3

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：83W
      编号：DS0142016
      1+￥0.7995
      10+￥0.738
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      型号：NCE3050MOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO-220-3

      描述：
      N沟道增强型功率MOSFET
      编号：DS0145297
      1+￥1.1583
      10+￥1.1154
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      型号：NCE3025QMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：DFN8_3.3X3.3MM

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W
      编号：DS0142014
      1+￥0.871
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      型号：NCE3420MOSFETs

      品牌：NCE

      封装：SOT-23

      描述：
      N沟道增强型功率MOSFET
      编号：DS0142024
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