MOSFETs

6.5折

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• 型号：QS8J2TRMOSFETs
• 品牌：ROHM(罗姆)
• 封装：TSMT8_3.1X2.5MM
• 描述：
  MOS管 2N-Channe VDS=10V VGS=±10V ID=4A Pd=1.5W TSMT8_3.1X2.5MM
• 编号：DS0103801

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• 型号：STD16NF25MOSFETs
• 品牌：ST(意法半导体)
• 封装：D-PAK
• 描述：
  N-Channel VDS=250V RDS(on)=235mΩ ID=14A PD=100W DPAK
• 编号：DS0082822

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• 型号：STP160N3LLMOSFETs
• 品牌：ST(意法半导体)
• 封装：TO-220-3
• 描述：
  通孔 N 通道 30 V 120A（Tc） 136W（Tc） TO-220
• 编号：DS0077606

6.2折

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• 型号：ZXMN10A07ZTAMOSFETs
• 品牌：DIODES(美台)
• 封装：SOT89-3
• 描述：
  SOT89封装中的100V N沟道增强型MOSFET ID=1A SOT89-3
• 编号：DS0083732

4.8折

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• 型号：IRFB7534PBFMOSFETs
• 品牌：Infineon(英飞凌)
• 封装：TO220AB
• 描述：
  通孔 N 通道 60 V 195A（Tc） 294W（Tc） TO-220AB
• 编号：DS0081973

7折

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• 型号：CRTD055N03LMOSFETs
• 品牌：CR MICRO(华润微)
• 封装：TO252
• 描述：
  沟槽N-MOSFET 30V，4.3米Ω, 58A至252
• 编号：DS0188466

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• 型号：CRST041N08NMOSFETs
• 品牌：CR MICRO(华润微)
• 封装：TO-220-3
• 描述：
  SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 3.4mΩ, 120A TO220
• 编号：DS0188475

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• 型号：2N7002H6327XTSA2MOSFETs
• 品牌：Infineon(英飞凌)
• 封装：SOT-23
• 描述：
  MOSFETs 60V 500mW SMT PGSOT23 300mA N-Channel
• 编号：DS0076594

6.5折

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• 型号：AP9977GHMOSFETs
• 品牌：APEC(富鼎)
• 封装：TO252
• 描述：
  MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±25V ID=11A RDS(ON)=100mΩ@10V TO252
• 编号：ZHLM0087674

6.5折

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• 型号：AP9997GKMOSFETs
• 品牌：APEC(富鼎)
• 封装：SOT223-3
• 描述：
  N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：3.2A 功率(Pd)：2.8W
• 编号：DS0187582

6.5折

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• 型号：AP15P10GH-HFMOSFETs
• 品牌：APEC(富鼎)
• 封装：TO252
• 描述：
  P通道增强模式
• 编号：DS0188761

6.5折

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• 型号：S8205AMOSFETs
• 品牌：Hottech(合科泰)
• 封装：SOT23-6
• 描述：
  双N沟道增强型场效应晶体管 VDS=20V ID=5A PD=1.25W SOT23-6
• 编号：DS0189061

6.5折

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• 型号：AP2320GN-SMOSFETs
• 品牌：APEC(富鼎)
• 封装：SOT23S
• 描述：
  n通道增强模式
• 编号：DS0188939

6.5折

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• 型号：AP9579GMMOSFETs
• 品牌：APEC(富鼎)
• 封装：SOIC8_150MIL
• 描述：
  P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：7.3A 功率(Pd)：2.5W
• 编号：DS0188940

8.7折

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• 型号：ZVN4525E6TAMOSFETs
• 品牌：DIODES(美台)
• 封装：SOT26
• 描述：
  MOSFET N-CH VDS=250V ID=230mA VGS=±40V SOT26
• 编号：DS0074541

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• 型号：SI1012R-T1-GE3MOSFETs
• 品牌：Vishay(威世)
• 封装：SOT416
• 描述：
  表面贴装型 N 通道 20 V 500mA（Ta） 150mW（Ta） SC-75A
• 编号：DS0074328

6折

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• 型号：IRFU320PBFMOSFETs
• 品牌：Vishay(威世)
• 封装：TO-251-3
• 描述：
  通孔 N 通道 400 V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
• 编号：DS0078262

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• 型号：BSS138-TPMOSFETs
• 品牌：MCC(美微科)
• 封装：SOT-23
• 描述：
  50V 220mA 3.5Ω@10V,220mA 350mW 1.5V@1mA N Channel SOT-23-3
• 编号：DS0182151

8.3折

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• 型号：BSC027N04LSGATMA1MOSFETs
• 品牌：Infineon(英飞凌)
• 封装：TDSON8_6.35X5.35MM_EP
• 描述：
  MOSFETs 40V 83W SMT PGTDSON8_6.35X5.35MM-EP 139A N-Channel
• 编号：DS0075809

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• 型号：2N7002-TPMOSFETs
• 品牌：MCC(美微科)
• 封装：SOT-23
• 描述：
  N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW
• 编号：DS0082448

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• 型号：IRFBF20PBFMOSFETs
• 品牌：Vishay(威世)
• 封装：TO220AB
• 描述：
  通孔 N 通道 900 V 1.7A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
• 编号：DS0081366

6折

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• 型号：IRFRC20PBFMOSFETs
• 品牌：Vishay(威世)
• 封装：TO252
• 描述：
  表面贴装型 N 通道 600 V 2A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
• 编号：DS0076007

6.5折

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• 型号：L2SK801LT1GMOSFETs
• 品牌：LRC(乐山无线电)
• 封装：SOT-23
• 描述：
  N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
• 编号：DS0183158

6.5折

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• 型号：LSI1012LT1GMOSFETs
• 品牌：LRC(乐山无线电)
• 封装：SOT-23
• 描述：
  20V 0.5A 225mW 700mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel SOT-23-3L
• 编号：DS0183149

8.7折

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• 型号：IRFS3206TRRPBFMOSFETs
• 品牌：Infineon(英飞凌)
• 封装：TO263AB
• 描述：
  MOSFETs 60V 300W SMT TO263AB 210A N-Channel
• 编号：DS0077656