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FLASH存储器

展示方式：

横向纵向

封装/外壳

BGA153_11.5X13MMBGA162_11.5X13MMBGA63_11X9MMBGA64_10X8MMFBGA153_11.5X13MMFBGA153_11X10MMFBGA153_13X11.5MMFBGA63_9X11MMFBGA64_13X11MMLGA16_9X12.5MMLGA8_6X8MMLGA8_8.5X7MMLGA8_8X6.2MMLGA8_8X6MMLGA8_9X12.5MMLQFP44_10X10MMP-WFBGA153_11.5X13MMSO8W_208MILSOIC16_150MILSOIC16_300MILSOIC8SOIC8_150MILSOIC8_208MILSOIC8_5.23X5.23MMSOIC8_5.35X5.4MMSOIC_208MILSOIJ8_5.26X5.25MMSOP-8SOP16_300MILSOP8_150MILSOP8_208MILSOP8_4.9X3.9MMSOP8_5.28X5.23MMSOP8_5.4X5.4MMT-PBGA24_6X8MMTSOP32_12.4X8.0MMTSOP32_8X12.5MMTSOP48_12X18.4MMTSOP48_18.4X12MMTSOP56_14X18.4MMTSSOP8_3X4.4MMU-PDFN8_6X8MMUDFN8_5X6MM_EPUSON8_2X3MM_EPUSON8_4X3MMUSON8_4X3MM_EPUSON8_4X4MMUSON8_4X4MM_EPWDFN8_5X6MM_EPWDFN8_EPWFBGA153_11.5X13MMWLCSP12_2.31X2.03MMWLCSP12_2.3X2MMWLCSP16_2.47X3.12MMWPDFN8_6X8MM_EPWSON8_6X5MMWSON8_6X5MM_EPWSON8_6X8MM_EPWSON8_8X6MM_EPXSON8_2X3MM_EPXSON8_4X4MM_EP
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最大时钟频率

100MHz104MHz108MHz10MHz120MHz133MHz166MHz1MHz200MHz208MHz25MHz33MHz400KHz40MHz50MHz52MHz55MHz66MHz70MHz75MHz80MHz83MHz85MHz86MHz
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存储器类型

EPROMOTPFLASHNAND MCP 4+4eMMC非易失
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存储容量

100Kb128Gb128MB128Mb14Mb16Gb16Mb1Gb1Mb256Mb2Gb2Kb2Mb323Mb32Gb32Kb32Mb4Gb4Kb4Mb512Kb512Mb64Gb64Mb8Gb8Mb8b
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工作电压（范围）

1.65V~1.95V1.65V~2V1.65V~3.6V1.7V~1.95V1.7V~3.6V1.95V2.3V~3.6V2.5V~3.6V2.65V~3.6V2.7V~3.3V2.7V~3.6V2V3.6V3V4.3V~5.5V
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存储器格式

Flash MemoryMLC闪存
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写周期时间-字，页

-1.5ms100µs100µs，10ms10ms10µs110ns15ms，5ms15us,0.4ms20ns20µs25ns300µs，5ms30µs，1.5ms30µs，3ms30µs，750µs3ms400µs45ns4ms50µs,3ms50µs，3ms5ms5µs，5ms6ns70ns750µs800µs8ms8ms，2.8ms8ns8µs8µs，3ms8µs，4ms90ns
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工作温度

-25℃~+85℃-30℃~+85℃-40℃~+105℃-40℃~+125℃-40℃~+85℃-40℃~+85℃,-40℃~+105℃0℃~+70℃0℃~+85℃
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安装类型

表面贴装
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技术

BCH纠错算法EPROM-OTPFLASHFLASH-NANDFLASH-NAND (MLC)FLASH-NAND（SLC）FLASH-NOR
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