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MOSFETs Vishay SIS402DN-T1-GE3

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品牌：Vishay(威世)
型号：SIS402DN-T1-GE3
商品编号：DS0082935
封装规格：PPAK8_3.05X3.05MM
商品描述： MOSFETs N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=6mΩ@10V
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	型号：SIS402DN-T1-GE3 品牌：Vishay(威世)	MOSFETs MOSFETs Vishay SIS402DN-T1-GE3 MOSFETs Vishay SIS402DN-T1-GE3	数据手册	0（1起订）	¥2.04601 ▼ 数量国内含税 1 +￥2.04601 10 +￥1.86001 30 +￥1.73601 100 +￥1.55001 500 +￥1.46321 1000 +￥1.40121	当前型号	加入购物车

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SIS402DN-T1-GE3 由 Vishay 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 digikeyarrowtmefutureverical 等渠道进行代购。 SIS402DN-T1-GE3 价格参考￥ 2.04601 。 Vishay SIS402DN-T1-GE3 封装/规格： PPAK8_3.05X3.05MM, MOSFETs N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=6mΩ@10V。你可以下载 SIS402DN-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

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型号：SIS402DN-T1-GE3
商品编号：DS0082935
封装规格：PPAK8_3.05X3.05MM
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品 牌：Vishay(威世)型 号：SIS402DN-T1-GE3商品编号：DS0082935封装规格：PPAK8_3.05X3.05MM商品描述： MOSFETs N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=6mΩ@10V MOSFETs N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=6mΩ@10V 技术文档数据手册

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