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分立半导体产品晶体管FET,MOSFETGP16530DS
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GaNFET GaNPower GP16530DS

制造商型号:GP16530DS

制造商:GaNPower
封装/规格:DFN6x8
商品编号:DS0138444 供应商编号:GP16530DS
商品描述:
N沟道 Vds=650V Id=30A

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产品分类

分立半导体产品

晶体管

封装/外壳

DFN6x8

FET类型

N沟道

漏源极电压(Vdss)

650V

漏极电流 Id(最大值)

30A

导通电阻 Rds(on)

65.8毫欧

栅源电压 Vgss

±6V

安装类型

表面贴装(SMT)

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数据手册GP16530DS数据手册