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    IRF630

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    200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package

     

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    产品信息

     描述

    IRF630属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF630为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。

    TO-220封装的IRF630普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF630得到业内的普遍认可。SMD-220封装的IRF630适用于贴片安装,比起现有的任何其他贴片封装,可说是功率最高,导通阻抗最低。IRF630的SMD-220封装可适应高强度电流的应用。


    特点

    *动态dv/dt率

    *可恢复性雪崩测定

    *175℃工作温度

    *快速转换速率

    *并行简易

    *仅需简单驱动

    *贴片安装 - IRF630S

    *可选卷带包装 - IRF630S

    *无铅环保

    电路图、引脚图和封装图

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    型号制造商描述购买
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    技术资料

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    IRF044-SMD pdf datasheet (N–CHRAR666 点击下载
    irf630芯片参数资料PDFPDF339 点击下载
    IRF630N芯片数据PDF141 点击下载
    IRF630英文资料PDF167 点击下载
    IRF4905S_IRF4905L pdfRAR150 点击下载
    IRF5305S_IRF5305L pdfRAR160 点击下载
    IRF840, pdf datasheet (PowerMeRAR344 点击下载
    IRF7464 pdf datasheet (HEXFETRAR666 点击下载

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