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IR2110

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IR2110驱动器

 

产品信息

 描述

IR2110采用HVIC和闩锁抗干扰CMOS制造工艺,DIP14脚封装。具有独立的低端和高端输入通道;悬浮电源采用自举电路,其高端工作电压可达500V,dv/dt=±50V/ns,15V下静态功耗仅116mW;输出的电源端(脚3,即功率器件的栅极驱动电压)电压范围10~20V;逻辑电源电压范围(脚9)5~15V,可方便地与TTL,CMOS电平相匹配,而且逻辑电源地和功率地之间允许有±5V的偏移量;工作频率高,可达500kHz;开通、关断延迟小,分别为120ns和94ns;图腾柱输出峰值电流为2A。


 

 

优势特点

IR2110的内部功能框图如图1所示。由三个部分组成:逻辑输入,电平平移及输出保护。如上所述IR2110的特点,可以为装置的设计带来许多方便。尤其是高端悬浮自举电源的成功设计,可以大大减少驱 

IR2110内部功能框架图.png


规格参数

R2110采用HVIC和闩锁抗干扰CMOS制造工艺,双列直插14脚封装。具有独立的低端和高端输入通道;悬浮电源采用自举电路,其高端工作电压可达500V,dv/dt=±50V/ns,15V下静态功耗116mW;输出的电源端(脚3,即功率器件的栅极驱动电压)电压范围10~20V;逻辑电源电压范围(脚9)5~15V,可方便地与TTL,CMOS电平相匹配,而且逻辑电源地和功率地之间允许有±5V的偏移量;工作频率高,可达500kHz;开通、关断延迟小,分别为120ns和94ns;图腾柱输出峰值电流为2A。

IR2110规格参数.png

IR2110规格参数.png

IR2110规格参数.png

电路图、引脚图和封装图

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技术资料

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IR2110/IR2113 pdf datasheet (HIGH AND LOW SIDE DRIVER)RAR333 点击下载
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ISO7721INEMO-M1INA250INA125-DIE
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irf630I3G4250DINA214-Q1ir2110
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