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HMC6505A中文资料及数据手册

HMC6505A

5.5 GHz 到 8.6 GHz,GaAs,MMIC,I/Q 升频器

HMC6505A产品信息

优势和特点

  转换增益:15 dB(典型值)

  边带抑制:22 dBc(典型值)

  增益最大时的输出 P1dB 压缩:22 dBm(典型值)

  增益最大时的输出 IP3:35 dBm(典型值)

  LO 到 RF 隔离:4 dB(典型值)

  LO 到 IF 隔离:9 dB(典型值)

  RF 回波损耗:20 dB(典型值)

  LO 回波损耗:10 dB(典型值)

  IF 回波损耗:20 dB(典型值)

  裸焊盘,5 mm × 5 mm,32 端子,无引线芯片载体封装

产品详情

HMC6505A 是一款采用兼容 RoHS 的封装的紧凑型砷化镓 (GaAs)、赝晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、微波单片集成电路 (MMIC) 升频器,工作频率范围为 5.5 GHz 至 8.6 GHz。此器件提供 15 dB 的小信号转换增益,以及 22 dBc 的边带抑制。HMC6505A 在可变增益放大器 (VGA) 之前使用同相和正交 (I/Q) 混频器,该混频器由主动本地振荡器 (LO) 驱动。提供 IF1 和 IF2 混频器输入,并需要采用外部 90° 混合模式选择所需的边带。I/Q 混频器拓扑结构减少了对不必要的边带进行过滤的需要。HMC6505A 是混合式单边带 (SSB) 升频器组件的小型替代方案,它可以使用表面安装制造技术,这消除了对引线键合的需要。

HMC6505A 提供 5 mm × 5 mm、32 端子无引线芯片载体 (LCC) 封装,可在 −40°C 至 +85°C 的温度范围内工作。HMC6505A 的评估板还可按需提供。

应用

  点到点和单点对多点无线电

  军用雷达、电子战 (EW) 和电子智能 (ELINT)

  卫星通信

  传感器

HMC6505A电路图、引脚图和封装图

HMC6505A开发工具

EVAL-HMC6505A

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本页提供评估HMC6505A的评估板订购信息。
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HMC6505A技术资料

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