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制造商：ADI/AD
优势和特点
传播延迟：23 ns或65 ns
单电源供电
与3 V和5 V逻辑兼容
单独的输入和输出部分
低功耗
宽输入范围：–5 V至+3.9 V
产品详情
CMP401 和CMP402分别为23 ns和65 ns四通道比较器，采用独立的输入和输出电源。独立电源使输入级可以采用+3 V至±6 V电源供电。输出可以采用3 V或5 V电源供电，具体取决于接口逻辑或可用电源。独立的输入和输出电源以及快速传播特性，使得CMP401和CMP402成为便携式仪器仪表接口应用的绝佳选择。
CMP401和CMP402的额定温度范围为–40°C至+125°C扩展工业温度范围。两款器件均采用16引脚窄体SOIC表贴封装和16引脚TSSOP封装。
应用电池供电仪器仪表
线路接收机
电平转换器
读取通道检测
...导体及其更尖端的行业存在巨大风险。目前我国半导体用CMP浆料对外依赖率为87.4%，也属于高度对外依赖的产品。抛光浆料作为CMP工艺的技术核心和价值核心，技术壁垒高、认证时间久，是我国必须发展自有技术和产业的产品。
1）在单晶硅片制造环节，单晶硅片首先通过化学腐蚀减薄，此时粗糙度在 10-20μm，在进行粗抛光、细抛光、精抛光等步骤，可将粗糙度控制在几十个 nm 以内。一般来说，单晶硅片需要 2 次以上的抛光，表面才可以达到集成电路...
如今受美国“实体清单”事件的影响，陶氏与华为终止这一合作关系，必将给双方带来一定损失。
...发丝，难度可想而知。过去，国内抛光所用关键材料——CMP抛光垫，几乎全部依赖进口。位于武汉经济技术开发区的湖北鼎龙控股股份有限公司（以下简称“鼎龙股份”）投资近4亿元，经过6年的艰苦研发，建成目前国内唯一、...
CMP（Chemical Mechanical Polishing）即“化学机械抛光”，是为了克服化学抛光和机械抛光的缺点
在芯片制造制程和工艺演进到一定程度、摩尔定律因没有合适的抛光工艺无法继续推进之时，CMP技术应运而生，是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键工艺。传统的机械抛光和化学抛光去除速率均低至无法满足
CMP设备为CMP技术应用的载体，为集机械学、流体力学、材料化学、精细化工、控制软件等多领城最先进技术于一体的设备，一般由检测系统、控制系统、抛光垫、废物处理系统等组成，是集成电路制造设备中较为复杂和研制难度...
中华电目前在跨国物联网所提供的服务，主要依照各照各别企业对跨国物联的不同需求，客制化跨国物联解决方案，包括提供一般SIM卡、Chip SIM或支援空中写卡（OTA，Over-the-Air Technology）的eSIM卡。
| cd4046 | CDCE925 | cd4051 | CL220 |
| CAT6202 | CD4066 | CM2009 | CNY17F3M |
| CL25 | CAT706 | C1206C103K5RACTU | CM1233 |
| CM1213A | CS3351 | CS8182 | C8051F006-GQ |
| CAT24C256WI-GT3 | CSD23203W | C0603C471K4RACTU | CAT34C02 |
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