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产品种类:MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 2.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 82 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 0.55 V
Qg-栅极电荷: 1.7 nC
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: 1 N-Channel
开发套件: -
下降时间: 3.7 ns
正向跨导 - 最小值: 9 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 500 mW
上升时间: 9.9 ns
系列: BSS806
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 12 ns
典型接通延迟时间: 7.5 ns
零件号别名: BSS806N BSS806NH6327XT H6327 SP000928952
特点：
N沟道
增强型
超逻辑电平（ 1.8V额定）
额定雪崩
符合AEC Q101标准
100 ％无铅化;符合RoHS标准
BSS806NH6327 封装图
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| BAT54-Y | BZV55-B4V3 | BZX84C15 | BAS16M3 |
| BQ25071 | BQ34Z100 | B82442A1473K | BAS21SL |
| BAT54C-E3-08 | BQ29200 | B3W-1052 | BAS31 |
| B32024A3334M | BAV199L | BAT54M3T5G | BAW56L |
| BR25S256F-WE2 | BAR43 | BD676A | BDW46 |
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