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    AO3400

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    MOS场效应管(单) SK N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A

     

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    产品信息

    规格参数

    产品分类

    场效应管(MOS管)

    三极管及MOS管



    FET配置(电路类型)

    N沟道


    漏源击穿电压V(BR)dss

    30V


    漏极电流(Id, 连续)

    5.8A


    导通电阻 Rds(on)

    35毫欧


    阈值电压Vgs(th)

    1.5V@250µA


    最大耗散功率

    -


    封装/外壳

    SOT-23-3(SC-59,TO-236-3)



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    型号制造商描述购买
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