2301A

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电路图、引脚图和封装图

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• 一文讲透超宽带（UWB）前世今生

  传闻已久的蔚来手机可能即将要发布了。据工信部官网显示：申请单位为蔚来移动科技有限公司、型号为N2301的手机已正式完成入网。相关认证信息显示，N2301支持UWB，可以被用作蔚来汽车的数字钥匙。

  2023-08-10
• PT8M2301A可多次编程A/D型8位MCU概述及特性

  PT8M2301A 是一款可多次编程（MTP）A/D 型 8 位 MCU，其包括 2K*16bit MTP ROM、256*8bit SRAM、Timer、PWM、Build-in Touch 等功能，具有高性能精简指令集、低工作电压、低功耗特性且完全集成触控按键功能。为各种触控按键的应用，提供了一种...

  2022-07-04
• 至为芯科技设计的蓝牙音箱电池充电方案应用芯片IP2301

  至为芯科技所应用的蓝牙音箱电池充电方案芯片——英集芯IP2301是具有高集成度、高性能特征的支持1～3节锂离子电池线性充电器芯片。IP2301具有涓流充电(TC)、恒流（CC）和恒压（CV）充电三种

  2023-02-04
• NP2301FVR 20V p通道增强模式MOSFET

  描述 NP2301FVR采用先进的战壕 技术提供优良的RDS(ON)，低栅 在极低电压的情况下进行充电和操作 1.8 v。该装置适用于负载开关 或在PWM应用中。 一般特征 VDS = -20v

  2022-07-11
• NP2301FHR 20V p通道增强模式MOSFET

  描述 NP2301FHR采用先进的战壕 技术提供优良的RDS(ON)，低栅 在极低电压的情况下进行充电和操作 1.8 v。该装置适用于负载开关 或在PWM应用中。 一般特征 VDS = -20v

  2022-07-11
• 12V降压直流转换器电路分享

  使用ADP2300 ADP2301降压型直流稳压器与集成功率MOSFET，可以设计出非常简单的直流直流电压转换器。

  2023-10-07
• NP2301AMR 20V p通道增强模式MOSFET

  描述 NP2301AMR采用了先进的沟槽技术 提供优良的RDS(ON)，低栅电荷和 工作电压低至1.8V。这个设备 适合用作负载开关或PWM 应用程序。 一般特征 VDS = -20v, id = -2.8a RDS(上)(Typ) = 60 mΩ@VGS = -4.5 v RDS(上)(Typ) = 75Ω@VGS = -2.5 v 高功率和电...

  2022-07-09
• NP2301AVR 20V p通道增强模式MOSFET

  描述 一般特征 NP2301AVR采用先进的战壕 技术提供优良的RDS(ON)，低栅 在极低电压的情况下进行充电和操作 1.8 v。本装置适用于作为负载开关或 在PWM的应用程序。 VDS = -20 v, ID R = -2.8 R DS(上)(Typ) = 64Ω@VGS = -4.5 v DS(上)(Typ) = 79Ω@VGS ...

  2022-07-09

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