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    宽带功率LDMOS晶体管

    宽带功率LDMOS晶体管

    Ampleon的RF功率推挽晶体管(Broadband Power LDMOS Transistor)是作为多功能设备开发的,其中考虑了广播和ISM应用

    发布时间:2018-06-14

    Ampleon的BLF645是作为多功能设备开发的,其中考虑了广播和ISM应用。该器件基于Ampleon的32 V LDMOS技术,无与伦比,在1至1400 MHz的频率范围内,在18 dB增益和56%漏极效率下拥有> 100 W P1dB输出功率。该封装采用推挽式,以优化宽带操作。

    对于频率范围为10 MHz至3.8 GHZ的功率放大器,RF横向扩散MOS(LDMOS)晶体管因其出色的功率容量,增益,效率,线性度,可靠性和低成本而成为技术的既定选择。该技术还可用于广播和ISM(工业,科学和医疗)中的宽带应用,其中诸如带宽,耐用性和热阻等附加要求非常重要。

    宽带功率LDMOS晶体管特性

    • 对于整个器件,CW性能为1300 MHz,漏源电压V DS为32 V,静态漏极电流I Dq = 0.9 A:

      平均输出功率= 100 W.

      功率增益= 18 dB

      排水效率= 56%

    • 对于整个器件,1300 MHz的双音性能,32 V 的漏源电压V DS和静态漏极电流I Dq = 0.9 A:

      峰值包络负载功率= 100 W.

      功率增益= 18 dB

      排水效率= 45%

      互调失真= -32 dBc

    • 集成ESD保护

    • 出色的坚固性

    • 高功率增益

    • 高效率

    • 卓越的可靠性

    • 易于控制功率

    • 符合RoHS(有害物质限制)指令2002/95 / EC

    Broadband Power LDMOS Transistor
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    BLF645,112MOSFETs-晶体管RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 32V 900mA 1.3GHz 16.5dB 100W LDMOST在线订购

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