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BLF7G24L功率LDMOS晶体管
Ampleon晶体管（BLF7G24L Power LDMOS Transistor）具有出色的热稳定性，专为低记忆效应而设计
发布时间：2018-06-14
Ampleon专为LTE基站而设计，内置业界领先的Gen7 LDMOS，高度DPD友好型晶体管覆盖2.3至2.4 GHz的整个频率范围。它们实现了非对称的Doherty设计，可实现44％和15 dB的增益效率。
射频功率器件市场领导者Ampleon利用其坚固耐用的Gen7 LDMOS技术生产这些射频功率晶体管，针对LTE 2.3至2.4 GHz应用进行了优化。这些陶瓷晶体管设计用于在非对称Doherty电路中协同工作，提供同类最佳的效率。在这种配置中，BLF7G24L（S）-100用作主放大器，BLF7G24L（S）-140用作峰值放大器。
两款器件均具有出色的热稳定性，专为低记忆效应而设计。这导致了出色的数字预失真（DPD）能力。这些器件还包括集成的ESD保护，并符合有关有害物质限制（RoHS）的指令2002/95 / EC。
BLF7G24L功率LDMOS晶体管特性
由于高效的Doherty电路，降低了基站的能耗
非常一致的器件性能，可实现最佳制造产
经过现场验证的坚固性和可靠性
出色的热稳定性
由于记忆效应低，易于线性化
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | BLF7G24LS-100,112 | MOSFETs-晶体管 | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT502B | 在线订购 | |
| | BLF7G24LS-140,112 | MOSFETs-晶体管 | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B | 在线订购 |
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