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    Stratix®IIIFPGA开发套件

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    英特尔®开发套件(The Stratix® III FPGA Development Kit)易于使用,专为快速系统集成而设计

    发布时间:2018-06-14

    SalthX®III FPGA开发工具包为开发和测试需要高性能和高密度设备的设计提供了一个完整的环境。

    英特尔 Stratix III FPGA将世界上最高的性能和最高的密度与最低的功耗相结合。您会发现Stratix III FPGA提供下一代基站,网络基础设施和高级成像设备所需的高性能和高集成度功能。

    Stratix III FPGA系列专为易用性和快速系统集成而设计,提供两种经过优化的系列变体,可满足不同的应用需求:

    • Stratix III L系列为主流应用提供平衡的逻辑,存储器和乘法器比率。

    • Stratix III E系列内存和乘法器丰富,适用于以数据为中心的应用。具有用于垂直移植的公共存储体结构的模块化I / O bank为高速I / O提供了效率和灵活性。具有动态片内匹配,输出延迟和电流强度控制的封装和芯片增强功能可提供同类最佳的信号完整性。

    Stratix®IIIFPGA开发套件特性

    Stratix III器件具有以下特性:

    • 48,000到338,000个等效逻辑单元(LE)

    • 2,430至20,497 Kbits增强型TriMatrix存储器,由三个RAM块大小组成,可实现真正的双端口存储器和先进先出(FIFO)缓冲器

    • 高速DSP模块提供9×9,12×12,18×18和36×36乘法器(高达550 MHz)的专用实现,乘法累加函数和有限脉冲响应(FIR)滤波器

    • I / O:GND:PWR比为8:1:1,同时具有片上和封装去耦,可实现稳健的信号完整性

    • 可编程功耗技术,可最大限度地降低功耗,同时最大化设备性能

    • 可选的内核电压,可在低压器件中使用(L订购代码后缀),可选择最低功耗或最高性能的操作

    • 每个器件最多16个全局时钟,88个区域时钟和116个外设时钟

    • 每个器件最多12个锁相环(PLL),支持PLL重配置,时钟切换,可编程带宽,时钟合成和动态相移

    • 存储器接口支持所有I / O bank上的专用DQS逻辑

    • 支持高速外部存储器接口,包括DDR,DDR2,DDR3 SDRAM,RLDRAM II,QDR II和QDR II + SRAM,最多可支持24个模块化I / O bank

    • 多达1,104个用户I / O引脚排列在24个模块化I / O bank中,支持各种工业I / O标准

    • 动态片上匹配(OCT),支持所有I / O bank的自动校准

    • 支持串行器/解串器(SERDES)和动态相位对齐(DPA)电路的高速差分I / O,可实现1.25 Gbps的性能

    • 支持高速网络和通信总线标准,包括SPI-4.2,SFI-4,SGMII,Utopia IV,万兆以太网XSBI,快速I / O和NPSI

    • 唯一的高密度,高性能FPGA,支持256位(AES)易失性和非易失性安全密钥,可保护设计

    • 强大的片上热插拔和电源排序支持

    • 用于配置存储器错误检测的集成循环冗余校验(CRC),具有高可用性系统支持的严重错误确定

    • 内置纠错编码(ECC)电路,用于检测和纠正M144K TriMatrix存储器模块中的数据错误

    • Nios®II嵌入式处理器支持

    • 支持英特尔®MegaCore®功能和英特尔宏功能合作伙伴计划(AMPP)的多种知识产权宏功能

           Stratix III FPGA开发套件符合RoHS标准,包括:

    • Stratix III开发板

      Stratix III EP3SL150F1152高性能FPGA

          142,500个等效逻辑单元(LE)

          744个用户I / O引脚

          384 18 x 18乘数

      计时

          125.000 MHz振荡器

          50.000 MHz振荡器

          SMA输入

          SMA输出

      组态

          MAX II闪存无源串行配置电路

              MAX II EPM2210GF256C3N CPLD

                  2,210 LEs

                  272个用户I / O引脚

                  8 KB的用户闪存

          使用Quartus®II开发软件编程的板载USB-Blaster™

          JTAG下载端口

      一般用户输入/输出

               功耗显示

                       分别显示每个电源轨

               系统复位按钮

               特定于板的DIP开关

               JTAG旁路DIP开关

               用户重置按钮

               用户按钮(x4)

               用户DIP开关(x8)

               用户LED(x8)

               用户四段7段显示

               128 x 64点像素图形显示

               LCD(16字符x 2行)

           内存设备

               128 MB DDR2 SDRAM DIMM

               16 MB DDR2 SDRAM器件(可单独寻址)

               36-Mbit QDRII SRAM器件

               4兆字节的PSRAM

               64 MB闪存

           组件和接口

               USB 2.0

               10/100/1000以太网

               两个HSMC接口

            电源

               12A DC /DCμModule - LTM4601EV

               1.5A低输入电压VLDO线性稳压器 - LTC3026EDD

               采用SOT-23封装的100 mA,低噪声,LDO微功率稳压器 - LT1761ES5-SD

               4.5A,500kHz降压型开关稳压器 - LT1374CFE

               采用ThinSOT封装的1.2 MHz / 2.2 MHz反相DC / DC转换器 - LT1931AES5

               采用MSOP-10的1- / 2通道24位μPower无延迟delta-sigma ADC - LTC2402CMS

    • Quartus II开发套件版软件,包括一年的许可证

    • 电缆及配件

      外部AC适配器电源

      电源线(包括对英国,欧洲的支持)


    Stratix III
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    DK-DEV-3SL150N开发板/评估板/验证板-开发板/套件/编程器EP3SL150 Stratix® III L FPGA 评估板在线订购

    应用案例

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      英特尔的Intel 20A和Intel 18A工艺已经开始流片,意味着量产阶段已经不远。而2nm工艺和1.8nm工艺的先进程度无疑已经超过了三星和台积电的3nm工艺。

    • 资讯英特尔Gaudi2C处理器或为Gaudi2的简化版,Gaudi3预计2024年面世2023-12-20

      对于Gaudi2C和Gaudi2之间的差别,有推测认为它可能是“部分”改动后的产品,针对中国市场专门定制。Tomshardware则猜测可能是Gaudi2的简化版。

    • 资讯今日看点丨华为强烈反对,东方材料宣布终止收购鼎桥;传ASML将推出2nm制造设备 英特尔已采购6台2023-12-20

      1. 传ASML 将在未来几个月推出2nm 制造设备 英特尔已采购6 台   近日有消息称,ASML将于未来几个月内推出2nm制程节点制造设备,并计划在2024年生产10台2nm设备,英特尔已采购其中6台。新一代的高数值孔径 (High-NA) EUV光刻机可以将聚光能力从0.33提高至0.55,能够获得更精细的曝光图案,用于2nm制程节点。未来几年,ASML希望将这种最新设备的产能提高至每年20台。   此前,英特尔表示已开始在其位于爱尔兰价值185亿美元的工厂采用EUV光刻机进行大量生产。爱

    • 资讯64核+高内存带宽!英特尔发布第五代至强服务器,加速AI原生应用落地2023-12-19

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    • 资讯英特尔有望于2024年领先芯片制造竞争对手2023-12-19

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    • 资讯用AI PC助力创新无限想象,英特尔人工智能创新应用大赛正式启动2023-12-19

      用新一代计算体验,释放创新无限想象        12月16日,英特尔人工智能创新应用大赛启动仪式在深圳举办。通过本次大赛,英特尔为广大开发者提供了一个展示创意和成果的平台,并依托强大的英特尔® 酷睿™ Ultra等设备及软件工具套件,助力开发者利用基于英特尔的AI PC出色的计算和图形性能进行创意开发,让每一位用户都能真切体验到AI PC带来的智能生产力跃升以及更加强大的娱乐体验。作为本届大赛的独家AI PC合作伙伴,联想与英特尔共同携手

    • 资讯英特尔、三星和台积电公布下一代晶体管进展2023-12-19

      英特尔是三者中最早演示 CFET 的,早在 2020 年就在 IEDM 上推出了早期版本。这一次,英特尔报告了围绕 CFET 制造的最简单电路(inverter)的多项改进。CMOS inverter 将相同的输入电压发送到堆栈中两个器件的栅极,并产生与输入逻辑相反的输出。

    • 资讯英特尔AI PC处理器发布 存储芯片迎国产化迭代机遇2023-12-19

      AI PC也将显著增加更高带宽的内存需求,以提升整体运算性能。由此或将带来存储领域芯片迭代及国产化机遇。

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