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    ZXMS6004FF 60V N沟道场效应晶体管

    ZXMS6004FF 60V N沟道场效应晶体管

    Diodes的ZXMS6004FF 60 V N沟道自保护增强型intellifet 场效应晶体管(ZXMS6004FF 60V N-Channel MOSFET)

    发布时间:2018-06-14

    Diodes的 ZXMS6004FF是一款单芯片60 V自保护低侧场效应晶体管,具有逻辑电平输入,集成了过压,过流,过温和ESD保护电路。ZXMS6004FF采用热效率高且紧凑的SOT23扁平封装,与现有7.3 mm x 6.7 mm封装的SOT223封装部件相比,可节省85%的电路板空间。

    SOT23扁平封装与业界标准SOT23具有相同的占位面积,仅为7.5mm²,但由于其更宽的机身,因此具有卓越的散热性能,使ZXMS6004FF的封装功率密度是SOT223的三倍,占地面积小是小六倍。如果用ZXMS6004FF替换当前的SOT223解决方案,可以减小最终应用的尺寸,从而降低成本。


    ZXMS6004FF 60V N沟道场效应晶体管特性

    • 紧凑的高功耗封装

    • 逻辑电平输入(3.3 V和5 V)

    • 具有自动重启功能的短路保护

    • 过流保护

    • 输入保护(ESD)

    • 自动重启热关机

    • 过压保护(有源钳位)

    • 高持续电流额定值

    ZXMS6004FF 60V N沟道场效应晶体管应用

    1. 电机控制

    2. 灯驱动程序

    3. 电磁铁驱动器

    4. 汽车评级

    5. 线性模式功能

    6. 开关应用中的所有类型的电阻,电感和电容负载

    7. 特别适用于具有高浪涌电流的负载,如灯和电机

    ZXMS6004FF
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    ZXMS6004FFTA电源开关/负载开关-电源管理电源开关/驱动器 N-CHAN 1:1 SOT23F¥3.18298在线订购

    应用案例

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