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    移动型高速 DDR SDRAM

    移动型高速 DDR SDRAM

    Alliance Memory 推出 AS4CxxMxxMD1 高速移动 CMOS 双倍数据速率同步 DRAM(High-Speed Mobile DDR SDRAMs)

    发布时间:2018-06-14

    Alliance Memory 的高速移动 CMOS 双倍数据速率同步 DRAM (DDR SDRAM) 专门用于提高能效并延长小型便携式设备的电池寿命。这些容量为 256 MB、512 MB、1 GB 和 2 GB 的器件采用 8 mm x 9 mm、60 焊球和 8 mm x 13 mm、90 焊球 FPBGA 封装,具有 1.7 V 至 1.95 V 低功耗和多项省电功能。在高带宽、高性能存储器系统应用中,AS4C16M16MD1、AS4C32M16MD1、AS4C16M32MD1、AS4C64M16MD1、AS4C32M32MD1 以及 AS4C64M32MD1 成为类似解决方案可靠的插入式引脚兼容替代品。

    移动型高速 DDR SDRAM特性

    • 1.7 V 至 1.95 V 低功耗

    • 省电功能:

           自动温度补偿型自我刷新 (ATCSR)

           部分阵列自我刷新 (PASR)

           深度断电 (DPD) 模式

    • 以双倍数据速率架构实现 166 MHz 以及 200 MHz 的快速时钟速率

    • 每个器件均提供扩展(-30 °C 至 +85 °C)和工业(-40 °C 至 +85 °C)温度范围

    • 内部配置为 4 组 16 M x 16 位和 32 位;32 M 和 64 M x 16 位;以及 32 M 和 64 M x 32 位

    • 提供 8 mm x 9 mm 的 60 焊球和 8 mm x 13 mm 的 90 焊球 FPBGA 封装

    • 全同步工作

    • 2、4、8 或 16 的可编程读或写猝发长度

    • 自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电

    • 易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新

    • 符合 RoHS 规范

    • 无铅 (Pb)、无卤素

    High-Speed Mobile DDR SDRAMs
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    AS4C16M16MD1-6BCNMRAM磁性随机存储器-存储器IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FPBGA在线订购
    AS4C16M32MD1-5BCNMRAM磁性随机存储器-存储器IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA在线订购
    AS4C64M32MD1-5BCNMRAM磁性随机存储器-存储器IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA在线订购
    AS4C32M16MD1-5BCNMRAM磁性随机存储器-存储器IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FPBGA在线订购
    AS4C64M16MD1-6BCNMRAM磁性随机存储器-存储器IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA在线订购
    AS4C64M16MD1-6BINMRAM磁性随机存储器-存储器IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA在线订购
    AS4C32M32MD1-5BCNMRAM磁性随机存储器-存储器IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA在线订购
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