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    高速 CMOS DDR2 SDRAM

    高速 CMOS DDR2 SDRAM

    Alliance Memory 的 AS4Cx CMOS DDR2 SDRAM (High-Speed CMOS DDR2 SDRAMs)非常适用于要求高存储器带宽的产品

    发布时间:2018-06-14

    Alliance Memory 的 AS4C16M16D2、AS4C32M16D2、AS4C64M8D2、AS4C64M16D2、AS4C128M8D2 和 AS4C128M16D2 高速 CMOS 双数据速率 2 同步 DRAM (DDR2 SDRAM) 的容量为 256 MB、512 MB、1 GB 和 2 GB,采用 60 焊球 8 mm x 10 mm x 1.2 mm 和 84 焊球 8 mm x 12.5 mm x 1.2 mm FBGA 封装。这些器件非常适用于各种要求高存储器带宽的产品,成为大量类似解决方案可靠的、插入式、引脚兼容型替代品。

    高速 CMOS DDR2 SDRAM特性

    • 具有三个温度范围:

           商业级(0°C 至 +85°C)

           工业级(-40°C 至 95°C)

           汽车级(-40°C 至 +105°C)

    • 采用同步接口

    • 可编程读或写猝发长度为 4 或 8

    • 自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电

    • 采用 +1.8 V (±0.1 V) 单电源工作

    • 无铅 (Pb)、无卤素

    • 内部配置为四个 8 M 字 x 16 位存储体 (AS4C32M16D2)、八个 8 M x 16 位存储体 (AS4C64M16D2)、八个 16 M x 8 位存储体 (AS4C128M8D2) 和八个 16 M x 16 位存储体 (AS4C128M16D2)

    • 易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新

    • 可编程模式寄存器允许系统选择最适合的模式,从而最大限度提升性能

    • 快速时钟速率:400 MHz

    • 数据速率:每引脚 800 Mbps

    高速 CMOS DDR2 SDRAM应用

    汽车、工业、消费和网络产品


    AS4C128M16D2 Series
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