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CDM2206-800LR N沟道MOSFET
Central Semiconductor的CDM2206-800LR N沟道MOSFET(CDM2206-800LR N-Channel MOSFET)，适用于高压，快速开关应用
发布时间：2018-06-14
Central Semiconductor CDM2206-800LR是800伏特N沟道MOSFET设计用于高电压，快速开关应用中，例如功率因数校正（PFC），照明和功率逆变器。该MOSFET结合了高电压能力，超低R DS（ON），低阈值电压和低栅极电荷，可实现最佳效率。
CDM2206-800LR N沟道MOSFET特性
高压能力（V DS = 800 V）
低栅极电荷（Q gs = 2.8 nC TYP）
超低R DS（ON） （0.8ΩTYP）
CDM2206-800LR N沟道MOSFET应用
功率因数校正（PFC）
替代能源逆变器
固态照明（SSL）
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