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PWD5F60 高密度功率驱动器

PWD5F60 高密度功率驱动器

STMicroelectronics 的 PWD5F60 高电压全桥功率驱动器(PWD5F60 High-Density Power Driver),集成了比较器

发布时间:2018-11-26

STMicroelectronics 的 PWD5F60 高密度功率驱动器是一种先进的电源系统级封装,集成栅极驱动器和四个 N 沟道功率 MOSFET,采用双半桥配置。集成功率 MOSFET 的 RDS(ON) 为 1.38Ω,漏源极击穿电压为 600 V,同时嵌入式栅极驱动器的高压侧能够方便地通过集成自举二极管供电。该器件集成度高,因此能在狭小空间内高效地驱动负载。
PWD5F60 接受在 10 V 至 20 V 宽范围内的电源电压 (VDC)。这类器件在上、下驱动部分都具有 UVLO 保护功能,以防电源开关在低效率或危险条件下工作。输入引脚可扩展,允许轻松连接微控制器、DSP 单元或霍尔效应传感器。
PWD5F60 嵌入了两个非指定比较器,用于防止过流、过热等。PWD5F60 的工作温度为 -40°C 至 +125°C。

PWD5F60 高密度功率驱动器特性

  • 可达 600 V 的高压

  • 全桥功率级

       IOUT = 5 A 和 RDS(ON) = 1.38Ω

       快速恢复二极管(trr = 70 ns)

  • 集成阴极负载二极管

  • 嵌入式 OCP

  • 嵌入 UVLO 保护

  • 可编程空载时间

  • 宽输入电源电压范围:0 V 至 21 V

  • 先进的 QFN 封装,15 mm x 7 mm


PWD5F60 高密度功率驱动器应用

  1. 工业风扇和泵

  2. 抽油烟机和燃气加热器

  3. 鼓风机

  4. 工业驱动和工厂自动化

  5. 电源单元

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