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BLL8Hxx系列射频功率晶体管
Ampleon推出BLL8Hxx系列射频功率晶体管（BLL8Hxx Family RF Power Transistors），具有集成的双面ESD，内部匹配和改善的坚固性
发布时间：2018-09-13
Ampleon推出其第8代50 V LDMOS技术的BLL8Hxx系列射频功率晶体管，用于L波段雷达应用。BLL8Hxx系列提供出色的宽带操作（1.2-1.4 GHz），输出功率为25,130,250和500 W（P，1 dB）。BLL8Hxx系列具有集成的双面ESD，内部匹配，改善的坚固性，高效率（典型值50％）和出色的热稳定性。
BLL8H0514-25： 25 W LDMOS晶体管，适用于0.5 GHz至1.4 GHz范围内的脉冲应用
BLL8H0514L（S）-130： 130 W LDMOS晶体管，适用于0.5 GHz至1.4 GHz范围内的脉冲应用
BLL8H1214LS-500： 500 W LDMOS功率晶体管，适用于1.2 GHz至1.4 GHz范围内的L波段雷达应用
BLL8H1214L（S）-250： 250 W LDMOS功率晶体管，适用于1.2 GHz至1.4 GHz范围内的L波段雷达应用
BLL8Hxx系列射频功率晶体管特性
易于控制功率
集成双侧ESD保护
脉冲格式具有高度灵活性
出色的坚固性
高效率
出色的热稳定性
专为宽带操作而设计（1.2 GHz至1.4 GHz）
内部匹配，易于使用
符合指令2002/95 / EC，关于有害物质限制（RoHS）
BLL8Hxx系列射频功率晶体管应用
用于1.2 GHz至1.4 GHz频率范围内雷达应用的L波段功率放大器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | BLL8H0514-25U | MOSFETs-晶体管 | TRANS L-BAND LDMOS 25W SOT467C | 在线订购 | |
 | | BLL8H0514L-130U | MOSFETs-晶体管 | TRANS L-BAND LDMOS 130W SOT1135A | 在线订购 | |
 | | BLL8H0514LS-130U | MOSFETs-晶体管 | RFFETLDMOS100V17DBSOT1135B | 在线订购 | |
 | | BLL8H1214L-250U | MOSFETs-晶体管 | TRANS L-BAND LDMOS 250W SOT502A | 在线订购 | |
 | | BLL8H1214LS-250U | MOSFETs-晶体管 | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B | 在线订购 | |
 | | BLL8H1214L-500U | MOSFETs-晶体管 | TRANS L-BAND LDMOS 500W SOT539A | 在线订购 | |
 | | BLL8H1214LS-500U | MOSFETs-晶体管 | TRANS L-BAND LDMOS 500W SOT539B | 在线订购 |
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