MOS管关断感性负载的保护机制
看到一芯片的内部结构有图中红色框中的电路部分,提到在外接感性负载时,会产生反电动势,而内部的Z1和D1可以起到保护作用,那保护的原理是什么
提问者:FAI_weilijuan
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提问时间:08-20 01:43
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绵阳迪赛刘总
08-24 18:01
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似乎应该是PMOS....
这个应该是用来限制Ugs。
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徐红wendyxu
08-25 18:00
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Q1才是保护感性负载的
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YHYDZ
08-26 05:20
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D1和Z1是限制Ugs防止Ugs过大,Q1用于泄放感性负载关断瞬间产生的大电流从而保护MOS管的
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q153605268
08-22 22:23
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因为是NNOS,如果S极感应出负高压,而G极又被D1、Z1钳住,所以UGS>0,然后NMOS导通。
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稳特电子
08-24 13:21
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qq609048002 完全就没看 5楼 的管型瞎扯蛋了。
9楼 说到点子上了。当由于感性负载使NMOS管的源极(S)出现负压,且大于Zds所钳制的电压,即源极电压小于(Vs-Vzds)时,Vzd导通,进而使NMOS管导通,给感性负载提供续流回路,以保护芯片的端口。
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lining870815844
08-20 18:38
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那这样的话会不会出现一种情况是,源级虽然产生了负压,但是其幅值较小,导致栅级跟源级之间的电压值较小而不能使MOS管导通。
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jiangwenwen
08-21 11:57
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顶一下,如果会有上面的情况的话,那如果外接感性负载的话外面一定要接续流二极管了。
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nmsaknd
08-22 11:23
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同意4楼,9楼。
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感性负载关断后,磁场储能需要一个辞放的通道,一般会采用专门的消磁电路,如:RC,RCD,D,有源钳位等;
本案的应用,则勿需专门的消磁电路,当驱动脉冲关闭后,感性负载电流会下降,自感电动势上负下正,让NMOS处于恒流区消耗磁场能量。直到消磁完成后自感电动势消失,实现软关断。保护NMOS不被击穿。
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陕西友航电子科技有限公司
08-26 16:09
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感谢楼上的回复,基本明白了,等再实验试一下。