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首页所有产品三极管及MOS管场效应管(MOS管) 当前“场效应管(MOS管)”共 12 条相关库存

TO-220(TO-220-3)封装/外壳的场效应管(MOS管)

华秋商城代理的场效应管(MOS管)芯片全系列,有TO-220(TO-220-3)封装/外壳芯片,都是华秋商城自营的正品现货场效应管(MOS管)芯片。
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  • 漏源击穿电压V(BR)dss

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封装/外壳:TO-220(TO-220-3)×
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图片原厂型号品牌描述库存参考价格FET配置(电路类型)漏源击穿电压V(BR)dss漏极电流(Id, 连续)导通电阻 Rds(on)阈值电压Vgs(th)最大耗散功率封装/外壳
WSR25N20WSR25N20WINSOK
微硕
N沟道 VDS=200V VGS=±20V ID=25A
数据手册

现货:50

¥2.6336

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N沟道
200V
25A(Tc)
60毫欧
1.5V@250µA
45W
TO-220(TO-220-3)
WSR80N10WSR80N10WINSOK
微硕
N沟道 VDS=100V VGS=±25V ID=85A
数据手册

现货:100

¥3.03

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N沟道
100V
85A(Tc)
10毫欧
3V@250µA
75W
TO-220(TO-220-3)
WSR200N08WSR200N08WINSOK
微硕
N沟道 VDS=80V VGS=±25V ID=200A
数据手册

现货:100

¥5.52

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N沟道
80V
200A(Tc)
2.9毫欧
3V@250µA
345W(Tc)
TO-220(TO-220-3)
WSR18P10WSR18P10WINSOK
微硕
P沟道 VDS=-100V VGS=±20V ID=-25A
数据手册

现货:100

¥1.679

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P沟道
100V
25A(Tc)
80毫欧
1.5V@250µA
89W(Tc)
TO-220(TO-220-3)
WSR80N06WSR80N06WINSOK
微硕
N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=80A
数据手册

现货:100

¥1.4489

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N沟道
60V
80A(Tc)
9.1毫欧
3V@250µA
110W
TO-220(TO-220-3)
WSR3090WSR3090WINSOK
微硕
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=90A
数据手册

现货:50

¥1.3569

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N沟道
30V
90A(Tc)
4.5毫欧
1.5V@250µA
53W
TO-220(TO-220-3)
WSR45P10WSR45P10WINSOK
微硕
P沟道 VDS=-100V VGS=±20V ID=-40A
数据手册

现货:100

¥2.96

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P沟道
100V
40A(Tc)
44毫欧
2V@250µA
136W(Tc)
TO-220(TO-220-3)
WSR80N08WSR80N08WINSOK
微硕
N沟道 VDS=80V VGS=±20V ID=80A
数据手册

现货:100

¥2.967

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N沟道
80V
80A(Tc)
8.4毫欧
4V@250µA
230W(Tc)
TO-220(TO-220-3)
WSR140N08WSR140N08WINSOK
微硕
N沟道 VDS=80V VGS=±25V ID=140A
数据手册

现货:100

¥2.4956

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N沟道
80V
140A(Tc)
4.8毫欧
3V@250µA
250W
TO-220(TO-220-3)
WSR60N06WSR60N06WINSOK
微硕
N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=60A
数据手册

现货:100

¥1.45

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N沟道
60V
60A(Tc)
12毫欧
3V@250µA
85W
TO-220(TO-220-3)
WSR70P10WSR70P10WINSOK
微硕
P沟道 VDS=-100V VGS=±25V ID=-70A
数据手册

现货:50

¥4.9797

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P沟道
100V
70A
18毫欧
4V@250µA
190W(Tc)
TO-220(TO-220-3)
WSR50N06WSR50N06WINSOK
微硕
N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=50A
数据手册

现货:0

¥1.3524

立即询价
N沟道
60V
50A(Tc)
16毫欧
3V@250µA
53W
TO-220(TO-220-3)