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阵列

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FET功能

漏源极电压(Vdss)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)

功率-最大值

工作温度

安装类型

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图片型号制造商最优价格操作封装/外壳包装供应商器件封装FET类型FET功能漏源极电压(Vdss)电流-连续漏极(Id)(25°C时)不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)不同Id时的Vgs(th)(最大值)不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)功率-最大值工作温度安装类型
PMDT290UNE,115
Nexperia USA Inc.
¥0.00
SOT-563,SOT-666剪切带(CT) ,带卷(TR) SOT-6662个N沟道(双)逻辑电平门20V800mA380毫欧@500mA,4.5V950mV@250µA0.68nC@4.5V83pF@10V500mW-55°C~150°C(TJ)表面贴装
SI1553CDL-T1-GE3
Vishay Siliconix
¥0.17
6-TSSOP,SC-88,SOT-363剪切带(CT) ,带卷(TR) SC-70-6(SOT-363)N和P沟道逻辑电平门20V700mA,500mA390毫欧@700mA,4.5V1.5V@250µA1.8nC@10V38pF@10V340mW-55°C~150°C(TJ)表面贴装
SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
¥0.16
SOT-23-6细型,TSOT-23-6剪切带(CT) ,带卷(TR) 6-TSOPN和P沟道逻辑电平门20V3.9A,2.1A58毫欧@2.5A,4.5V1.5V@250µA4.8nC@10V150pF@10V1.4W,1.3W-55°C~150°C(TJ)表面贴装
BUK9K18-40E,115
Nexperia USA Inc.
¥0.29
SOT-1205,8-LFPAK56剪切带(CT) ,带卷(TR) LFPAK56D2个N沟道(双)逻辑电平门40V30A16毫欧@10A,10V2.1V@1mA14.5nC@10V1061pF@25V38W-55°C~175°C(TJ)表面贴装
BUK7K12-60EX
Nexperia USA Inc.
¥0.49
SOT-1205,8-LFPAK56剪切带(CT) ,带卷(TR) LFPAK56D2个N沟道(双)标准60V40A43毫欧@5A,10V4V@1mA10.4nC@10V617pF@25V68W-55°C~175°C(TJ)表面贴装
CSD87335Q3D
TI
¥0.70
8-PowerLDFN剪切带(CT) ,带卷(TR) 8-LSON(3.3x3.3)2N沟道(双)非对称型标准30V--1.9V@250µA7.4nC@4.5V1050pF@15V6W-55°C~150°C(TJ)表面贴装
CSD88537NDT
TI
¥0.01
8-SOIC(0.154",3.90mm宽)剪切带(CT) ,带卷(TR) 8-SO2个N沟道(双)标准60V15A15毫欧@8A,10V3.6V@250µA18nC@10V1400pF@30V2.1W-55°C~150°C(TJ)表面贴装
ALD111933PAL
Advanced Linear Devices
¥1.48
8-DIP(0.300",7.62mm)管件 8-PDIP2N沟道(双)配对标准10.6V-500欧姆@5.9V3.35V@1µA-2.5pF@5V500mW0°C~70°C(TJ)通孔
SI7949DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
¥0.79
PowerPAK®SO-8双剪切带(CT) ,带卷(TR) PowerPAK®SO-8Dual2个P沟道(双)逻辑电平门60V3.2A64毫欧@5A,10V3V@250µA40nC@10V-1.5W-55°C~150°C(TJ)表面贴装
NX3008CBKV,115
Nexperia USA Inc.
¥0.59
SOT-563,SOT-666剪切带(CT) ,带卷(TR) SOT-666N和P沟道逻辑电平门30V400mA,220mA1.4欧姆@350mA,4.5V1.1V@250µA0.68nC@4.5V50pF@15V500mW-55°C~150°C(TJ)表面贴装
ALD110802PCL
Advanced Linear Devices
¥1.91
16-DIP(0.300",7.62mm)管件 16-PDIP4N沟道,配对标准10.6V-500欧姆@4.2V220mV@1µA-2.5pF@5V500mW0°C~70°C(TJ)通孔
SIA918EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
¥1.37
PowerPAK®SC-70-6双剪切带(CT) ,带卷(TR) PowerPAK®SC-70-6双2个N沟道(双)标准30V4.5A(Tc)58毫欧@3A,4.5V900mV@250µA5.5nC@4.5V-7.8W-55°C~150°C(TJ)表面贴装
SIA928DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
¥0.49
PowerPAK®SC-70-6双剪切带(CT) ,带卷(TR) PowerPAK®SC-70-6双2个N沟道(双)标准30V4.5A(Tc)25毫欧@5A,10V2.2V@250µA4.5nC@4.5V490pF@15V7.8W-55°C~150°C(TJ)表面贴装
SISB46DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
¥0.00
PowerPAK®1212-8双剪切带(CT) ,带卷(TR) PowerPAK®1212-8Dual2个N沟道(双)标准40V34A(Tc)11.71毫欧@5A,10V2.2V@250µA11nC@4.5V1100pF@20V23W-55°C~150°C(TJ)表面贴装
SQJB60EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
¥1.11
PowerPAK®SO-8双剪切带(CT) ,带卷(TR) PowerPAK®SO-8Dual2个N沟道(双)标准60V30A(Tc)12毫欧@10A,10V2.5V@250µA30nC@10V1600pF@25V48W-55°C~175°C(TJ)表面贴装
SQJB00EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
¥0.59
PowerPAK®SO-8双剪切带(CT) ,带卷(TR) PowerPAK®SO-8Dual2个N沟道(双)标准60V30A(Tc)13毫欧@10A,10V3.5V@250µA35nC@10V1700pF@25V48W-55°C~175°C(TJ)表面贴装
BUK7K13-60EX
Nexperia USA Inc.
¥0.45
SOT-1205,8-LFPAK56剪切带(CT) ,带卷(TR) LFPAK56D2个N沟道(双)标准60V40A10毫欧@10A,10V4V@1mA30.1nC@10V2163pF@25V64W-55°C~175°C(TJ)表面贴装
BUK9K5R1-30EX
Nexperia USA Inc.
¥0.49
SOT-1205,8-LFPAK56剪切带(CT) ,带卷(TR) LFPAK56D2个N沟道(双)逻辑电平门30V40A5.3mOhm@10A,5V2.1V@1mA26.7nC@5V3065pF@25V68W-55°C~175°C(TJ)表面贴装
SQJQ904E-T1_GE3
Vishay Siliconix
¥0.00
PowerPAK®8x8双剪切带(CT) ,带卷(TR) PowerPAK®8x8双2个N沟道(双)标准40V100A(Tc)3.4毫欧@20A,10V3.5V@250µA75nC@10V5900pF@20V75W-55°C~175°C(TJ)表面贴装
NX7002BKS
Nexperia USA Inc.
¥0.08
6-TSSOP,SC-88,SOT-363带卷(TR) 6-TSSOP2个N沟道(双)逻辑电平门60V240mA2.8欧姆@200mA,10V2.1V@250µA1nC@10V23.6pF@10V320mW-55°C~150°C(TJ)表面贴装