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品牌

封装/外壳

包装

FET类型

技术

漏源极电压(Vdss)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)