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MicrochipROHMTIADINXP
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二极管类型

电压-DC反向(Vr)(最大值)

不同If时的电压-正向(Vf)

速度

反向恢复时间(trr)

不同 Vr时的电流-反向漏电流

工作温度-结

安装类型

封装/外壳

供应商器件封装

电流-平均整流(Io)

不同 Vr,F时的电容

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图片型号制造商最优价格操作包装二极管类型电压-DC反向(Vr)(最大值)不同If时的电压-正向(Vf)速度反向恢复时间(trr)不同 Vr时的电流-反向漏电流工作温度-结安装类型封装/外壳供应商器件封装电流-平均整流(Io)不同 Vr,F时的电容
VS-15EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
¥0.61
剪切带(CT) ,带卷(TR) 标准600V2.1V@15A快速恢复=<500ns,>200mA(Io)36ns50µA@600V-65°C~175°C表面贴装TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63D-PAK(TO-252AA)15A-
SARS01
Sanken
¥1.41
散装 标准800V920mV@1.2A标准恢复>500ns,>200mA(Io)18µs10µA@800V-40°C~150°C通孔轴向轴向1.2A-
SARS02
Sanken
¥2.19
散装 标准800V920mV@1.5A标准恢复>500ns,>200mA(Io)18µs10µA@800V-40°C~150°C通孔轴向轴向1.2A-
LXA04T600
Power Integrations
¥0.45
管件 肖特基600V2.96V@4A快速恢复=<500ns,>200mA(Io)18.5ns250µA@600V150°C(最大)通孔TO-220-2TO-220AC4A-
VS-6EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
¥0.33
管件 标准600V2.1V@6A快速恢复=<500ns,>200mA(Io)27ns50µA@600V-65°C~175°C表面贴装TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63D-PAK(TO-252AA)6A-
RL4A
Sanken
¥2.19
散装 标准600V1.5V@3A快速恢复=<500ns,>200mA(Io)50ns50µA@600V-40°C~150°C通孔轴向-3A-
SARS10
Sanken
¥0.00
散装 标准800V1.05V@1A标准恢复>500ns,>200mA(Io)9µs10µA@800V-20°C~125°C通孔TO-220-2整包TO-220-F2300mA-
RF1501TF3S
ROHM
¥0.30
管件 标准300V-快速恢复=<500ns,>200mA(Io)--150°C(最大)通孔TO-220-2整包TO-220NFM20A-
JAN1N4148-1
Microsemi Corporation
¥5.09
散装 标准75V1.2V@100mA小信号=<200mA(Io),任意速度20ns500nA@75V-65°C~175°C通孔DO-204AH,DO-35,轴向DO-35200mA4pF@0V,1MHz
VS-15ETH06FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
¥0.93
管件 标准600V2.2V@15A快速恢复=<500ns,>200mA(Io)35ns50µA@600V-65°C~175°C通孔TO-220-2整包TO-220-2整包15A-
VS-10ETF12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
¥1.48
管件 标准1200V(1.2kV)1.33V@10A快速恢复=<500ns,>200mA(Io)310ns--40°C~150°C通孔TO-220-2TO-220AC10A-
C3D04065E
Cree
¥1.16
管件 碳化硅肖特基650V1.8V@4A无恢复时间>500mA(Io)0ns60µA@650V-55°C~175°C表面贴装TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63TO-252-24A(DC)251pF@0V,1MHz
VS-8TQ080PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
¥1.39
管件 肖特基80V720mV@8A快速恢复=<500ns,>200mA(Io)-550µA@80V-55°C~175°C通孔TO-220-2TO-220AC8A500pF@5V,1MHz
VS-12F20
Vishay Semiconductor Diodes Division
¥1.96
散装 标准200V1.26V@38A标准恢复>500ns,>200mA(Io)-12mA@200V-65°C~175°C底座,接线柱安装DO-203AA,DO-4,接线柱DO-203AA12A-
APT60DQ60BG
Microsemi Corporation
¥1.88
管件 标准600V2.4V@60A快速恢复=<500ns,>200mA(Io)35ns25µA@600V-55°C~175°C通孔TO-247-2TO-247[B]60A-
1N1200A
GeneSiC Semiconductor
¥1.94
散装 标准100V1.1V@12A标准恢复>500ns,>200mA(Io)-10µA@50V-65°C~200°C底座,接线柱安装DO-203AA,DO-4,接线柱DO-412A-
C3D08065E
Cree
¥2.82
管件 碳化硅肖特基650V1.8V@8A无恢复时间>500mA(Io)0ns50µA@650V-55°C~175°C表面贴装TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63TO-252-225.5A(DC)395pF@0V,1MHz
VS-1N1200A
Vishay Semiconductor Diodes Division
¥2.44
散装 标准100V1.35V@12A标准恢复>500ns,>200mA(Io)-2.5mA@100V-65°C~200°C底座,接线柱安装DO-203AA,DO-4,接线柱DO-203AA12A-
VS-HFA25TB60SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
¥2.69
管件 标准600V1.7V@25A快速恢复=<500ns,>200mA(Io)75ns20µA@600V-55°C~150°C表面贴装TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263ABD2PAK25A(DC)-
SCS208AGC
ROHM
¥1.78
管件 碳化硅肖特基650V1.55V@8A无恢复时间>500mA(Io)0ns160µA@600V175°C(最大)通孔TO-220-2TO-220AC8A(DC)291pF@1V,1MHz