hi,欢迎来到华强芯城 收藏我们客服热线:400-990-8686
我的购物车 0
分立半导体产品晶体管FET,MOSFETSI1317DL-T1-GE3
alternative text
图像仅供参考,请参阅产品规格书

晶体管 Vishay SI1317DL-T1-GE3

制造商型号:SI1317DL-T1-GE3

制造商:Vishay
封装/规格:SC-70,SOT-323
商品编号:DS0078863 供应商编号:SI1317DL-T1-GE3
商品描述:
MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70

选择供应商

交货地:货期(工作日):立即发货
库   存:

总   价:¥0.0

加入购物车询价

价格参考:
数量香港国内含税
1+——¥2.3236
5+——¥1.5491
10+——¥1.2393
20+——¥1.0843
50+——¥1.0069
100+——¥0.9682
500+——¥0.9294
1000+——¥0.8907
  • 规格参数
  • PDF资料
  • 成交记录
产品分类

分立半导体产品

晶体管

系列

TrenchFET®

包装

剪切带(CT) ,带卷(TR) 

零件状态

在售

FET类型

P沟道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.4A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)

1.8V,4.5V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

800mV@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

6.5nC@4.5V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)

272pF@10V

Vgs(最大值)

±8V

FET功能

-

功率耗散(最大值)

500mW(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

150毫欧@1.4A,4.5V

工作温度

-50°C~150°C(TJ)

安装类型

表面贴装

供应商器件封装

SOT-323

封装/外壳

SC-70,SOT-323

搜索
  • 用户名称购买型号购买数量购买价格下单时间
  • 赵***SI1317DL-T1-GE353471.80002018-05-30 14:20
  • 齐***SI1317DL-T1-GE315600.84202015-11-12 17:10