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分立半导体产品晶体管FET,MOSFETSI1317DL-T1-GE3
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图像仅供参考,请参阅产品规格书

晶体管 Vishay SI1317DL-T1-GE3

制造商型号:SI1317DL-T1-GE3

制造商:Vishay
封装/规格:SC-70,SOT-323
商品编号:DS0078863 供应商编号:SI1317DL-T1-GE3
商品描述:
MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70

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产品分类

分立半导体产品

晶体管

安装类型

表面贴装

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

150毫欧@1.4A,4.5V

FET功能

-

Vgs(最大值)

±8V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)

272pF@10V

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

6.5nC@4.5V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

800mV@250µA

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)

1.8V,4.5V

电流-连续漏极(Id)(26°C时)

1.4A(Tc)

漏源极电压(Vdss)

20V

FET类型

P沟道

功率耗散(最大值)

500mW(Tc)

供应商器件封装

SOT-323

封装/外壳

SC-70,SOT-323

工作温度

-50°C~150°C(TJ)

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