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分立半导体产品晶体管FET,MOSFETIRFR120ZPBF
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图像仅供参考,请参阅产品规格书

晶体管 Infineon IRFR120ZPBF

制造商型号:IRFR120ZPBF

制造商:Infineon
封装/规格:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
商品编号:DS0077569 供应商编号:IRFR120ZPBF
商品描述:
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK

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产品分类

分立半导体产品

晶体管

系列

HEXFET®

包装

管件 

零件状态

不可用于新设计

FET类型

N沟道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.7A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)

10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

10nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)

310pF@25V

Vgs(最大值)

±20V

FET功能

-

功率耗散(最大值)

35W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

190毫欧@5.2A,10V

工作温度

-55°C~175°C(TJ)

安装类型

表面贴装

供应商器件封装

D-Pak

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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