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分立半导体产品晶体管FET,MOSFETGP1A215TS_263
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图像仅供参考,请参阅产品规格书

GaNFET GaNPower GP1A215TS_263

制造商型号:GP1A215TS_263

制造商:GaNPower
封装/规格:TO263
商品编号:DS0138441 供应商编号:GP1A215TS_263
商品描述:
N沟道 Vds=1200V Id=15A

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产品分类

分立半导体产品

晶体管

封装/外壳

TO263

FET类型

N沟道

漏源极电压(Vdss)

1200V(1.2kV)

漏极电流 Id(最大值)

15A

导通电阻 Rds(on)

106.8毫欧

栅源电压 Vgss

±6V

安装类型

表面贴装(SMT)

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数据手册GP1A215TS_263数据手册