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分立半导体产品晶体管FET,MOSFETDMN2300UFD-7-81
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图像仅供参考,请参阅产品规格书

晶体管 DIODES DMN2300UFD-7-81

制造商型号:DMN2300UFD-7-81

制造商:DIODES
封装/规格:QFN
商品编号:DS0137199 供应商编号:DMN2300UFD-7-81
商品描述:
MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN

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  • 规格参数
产品分类

分立半导体产品

晶体管

封装/外壳

QFN

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

950mV @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

2nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)

67.62pF @ 25V

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)

1.5V,4.5V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.21A(Ta)

安装类型

表面贴装

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss)

20V

Vgs(最大值)

±8V

FET功能

-

包装

卷带

供应商器件封装

X1-DFN1212-3

FET类型

N 沟道

功率耗散(最大值)

470mW(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

200 毫欧 @ 900mA,4.5V

工作温度

-55°C ~ 150°C(TJ)

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