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分立半导体产品晶体管FET,MOSFETCSD16323Q3
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图像仅供参考,请参阅产品规格书

晶体管 TI CSD16323Q3

制造商型号:CSD16323Q3

制造商:TI
封装/规格:8-PowerTDFN
商品编号:DS0083608 供应商编号:CSD16323Q3
商品描述:
MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON

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产品分类

分立半导体产品

晶体管

安装类型

表面贴装

功率耗散(最大值)

3W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.5毫欧@24A,8V

工作温度

-55°C~150°C(TJ)

系列

NexFET™

包装

剪切带(CT) ,带卷(TR) 

供应商器件封装

8-VSON(3.3x3.3)

零件状态

在售

封装/外壳

8-PowerTDFN

FET类型

N沟道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(26°C时)

21A(Ta),60A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)

3V,8V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.4V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

8.4nC@4.5V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)

1300pF@12.5V

Vgs(最大值)

+10V,-8V

FET功能

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技术资料文档
数据列表CSD16323Q3
PCN 设计/规格Qualification Revision A 01/Jul/2014
PCN 组件/产地Qualification Assembly/Test Site 03/Mar/2014
PCN 组件/产地Qualification Wire Bond 27/May/2014
PCN 组件/产地Assembly/Test Site Revision C 09/Feb/2015
制造商产品页CSD16323Q3 Specifications
产品目录页面1623 (CN2011-ZH PDF)