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分立半导体产品晶体管FET,MOSFET2N7002LT1G
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图像仅供参考,请参阅产品规格书

晶体管 ON 2N7002LT1G

制造商型号:2N7002LT1G

制造商:ON
封装/规格:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
商品编号:DS0074205 供应商编号:2N7002LT1G
商品描述:
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23

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产品分类

分立半导体产品

晶体管

系列

-

包装

剪切带(CT) ,带卷(TR) 

零件状态

在售

FET类型

N沟道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

115mA(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)

5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)

50pF@25V

Vgs(最大值)

±20V

FET功能

-

功率耗散(最大值)

225mW(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.5欧姆@500mA,10V

工作温度

-55°C~150°C(TJ)

安装类型

表面贴装

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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